БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STB34NM60N

    STB34NM60N

    MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

    STMicroelectronics

    500
    STB34NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±25V 2722 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NVH4L060N065SC1

    NVH4L060N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    443
    NVH4L060N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V - 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFH60N65X2

    IXFH60N65X2

    MOSFET N-CH 650V 60A TO247

    Littelfuse Inc.

    290
    IXFH60N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 60A (Tc) 10V 52mOhm @ 30A, 10V 5.5V @ 4mA 107 nC @ 10 V ±30V 6180 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXTH60N20X4

    IXTH60N20X4

    MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

    Littelfuse Inc.

    383
    IXTH60N20X4

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    STWA88N65M5

    STWA88N65M5

    MOSFET N-CH 650V 84A TO247

    STMicroelectronics

    593
    STWA88N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 84A (Tc) 10V 29mOhm @ 42A, 10V 5V @ 250µA 204 nC @ 10 V ±25V 8825 pF @ 100 V - 450W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFR44N50P

    IXFR44N50P

    MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    289
    IXFR44N50P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 22A, 10V 5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±30V 5440 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    NVMTS0D7N04CLTXG

    NVMTS0D7N04CLTXG

    AFSM T6 40V LL NCH

    onsemi

    3,029
    NVMTS0D7N04CLTXG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 67A (Ta), 433A (Tc) 4.5V, 10V 0.63mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 250µA 205 nC @ 10 V ±20V 12238 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    IPDQ60R022S7XTMA1

    IPDQ60R022S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

    Infineon Technologies

    738
    IPDQ60R022S7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 12V 22mOhm @ 23A, 12V 4.5V @ 1.44mA 150 nC @ 12 V ±20V 5639 pF @ 300 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    R6030JNZ4C13

    R6030JNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 30A TO247G

    Rohm Semiconductor

    391
    R6030JNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 15V 143mOhm @ 15A, 15V 7V @ 5.5mA 74 nC @ 15 V ±30V 2500 pF @ 100 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    NTMTS1D6N10MCTXG

    NTMTS1D6N10MCTXG

    SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

    onsemi

    2,873
    NTMTS1D6N10MCTXG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 90A, 10V 4V @ 650µA 106 nC @ 10 V ±20V 7630 pF @ 50 V - 5W (Ta), 291W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    NTBG060N065SC1

    NTBG060N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

    onsemi

    708
    NTBG060N065SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    FCH077N65F-F085

    FCH077N65F-F085

    MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

    onsemi

    854
    FCH077N65F-F085

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 77mOhm @ 27A, 10V 5V @ 250µA 164 nC @ 10 V ±20V 7162 pF @ 25 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    STW34NM60ND

    STW34NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 29A TO247

    STMicroelectronics

    588
    STW34NM60ND

    Техническая документация

    FDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 250µA 80.4 nC @ 10 V ±25V 2785 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    STW65N80K5

    STW65N80K5

    MOSFET N-CH 800V 46A TO247

    STMicroelectronics

    439
    STW65N80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 46A (Tc) 10V 80mOhm @ 23A, 10V 5V @ 100µA 92 nC @ 10 V ±30V 3230 pF @ 100 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH26N65X2

    IXFH26N65X2

    IXFH26N65X2

    Littelfuse Inc.

    288
    IXFH26N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 26A (Tc) 10V 130mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 2.5mA 45 nC @ 10 V ±30V 2450 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFH6N120

    IXFH6N120

    MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    580
    IXFH6N120

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 6A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 3A, 10V 5V @ 2.5mA 56 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    SCT4045DW7TL

    SCT4045DW7TL

    750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    424
    SCT4045DW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 31A (Tj) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 93W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    SCT3160KW7TL

    SCT3160KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    3,872
    SCT3160KW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) - 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - 100W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTQ120N20P

    IXTQ120N20P

    MOSFET N-CH 200V 120A TO3P

    Littelfuse Inc.

    265
    IXTQ120N20P

    Техническая документация

    Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 714W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    NVBG095N065SC1

    NVBG095N065SC1

    SIC MOS D2PAK-7L 650V

    onsemi

    755
    NVBG095N065SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 15V, 18V 105mOhm @ 12A, 18V 4.3V @ 4mA 50 nC @ 18 V - 956 pF @ 325 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    Total 36322 Record«Prev1... 202203204205206207208209...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.