БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF8302MTR1PBF

    IRF8302MTR1PBF

    MOSFET N CH 30V 31A MX

    Infineon Technologies

    8,690
    IRF8302MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 31A, 10V 2.35V @ 150µA 53 nC @ 4.5 V ±20V 6030 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 104W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRF8304MTR1PBF

    IRF8304MTR1PBF

    MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    2,705
    IRF8304MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 28A, 10V 2.35V @ 100µA 42 nC @ 4.5 V ±20V 4700 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 100W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRF8327STR1PBF

    IRF8327STR1PBF

    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    9,456
    IRF8327STR1PBF

    Техническая документация

    - DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 25µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1430 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
    AUIRF1018ES

    AUIRF1018ES

    MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,164
    AUIRF1018ES

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 79A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF1404

    AUIRF1404

    MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,454
    AUIRF1404

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 4mOhm @ 121A, 10V 4V @ 250µA 196 nC @ 10 V ±20V 5669 pF @ 25 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF1404S

    AUIRF1404S

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,780
    AUIRF1404S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF1405

    AUIRF1405

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,536
    AUIRF1405

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2805

    AUIRF2805

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,343
    AUIRF2805

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2805S

    AUIRF2805S

    MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,107
    AUIRF2805S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 135A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF2807

    AUIRF2807

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,504
    AUIRF2807

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3820 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2903Z

    AUIRF2903Z

    MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,201
    AUIRF2903Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2903ZL

    AUIRF2903ZL

    MOSFET N-CH 30V 160A TO262

    Infineon Technologies

    6,496
    AUIRF2903ZL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRF2903ZS

    AUIRF2903ZS

    MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,874
    AUIRF2903ZS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF3004WL

    AUIRF3004WL

    MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3

    Infineon Technologies

    5,882
    AUIRF3004WL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Wide Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.4mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9450 pF @ 32 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-262-3 Wide
    AUIRF3007

    AUIRF3007

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,790
    AUIRF3007

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF3315S

    AUIRF3315S

    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,303
    AUIRF3315S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF3415

    AUIRF3415

    MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,149
    AUIRF3415

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF3504

    AUIRF3504

    MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,833
    AUIRF3504

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 87A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 52A, 10V 4V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF3808S

    AUIRF3808S

    MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,718
    AUIRF3808S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 106A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF4905L

    AUIRF4905L

    MOSFET P-CH 55V 42A TO262

    Infineon Technologies

    5,091
    AUIRF4905L

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 20mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.