БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AUIRLR3105

    AUIRLR3105

    MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

    Infineon Technologies

    4,663
    AUIRLR3105

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 25A (Tc) 5V, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 710 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR3110Z

    AUIRLR3110Z

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    9,264
    AUIRLR3110Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 100µA 48 nC @ 4.5 V ±16V 3980 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR3114Z

    AUIRLR3114Z

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    6,335
    AUIRLR3114Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 2.5V @ 100µA 56 nC @ 4.5 V ±16V 3810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR3636

    AUIRLR3636

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

    Infineon Technologies

    9,881
    AUIRLR3636

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 100µA 49 nC @ 4.5 V ±16V 3779 pF @ 50 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR3915

    AUIRLR3915

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

    Infineon Technologies

    4,401
    AUIRLR3915

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 5V, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±16V 1870 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLS3034

    AUIRLS3034

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,361
    AUIRLS3034

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 2.5V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V ±20V 10315 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRLS3034-7P

    AUIRLS3034-7P

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,605
    AUIRLS3034-7P

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V 2.5V @ 250µA 180 nC @ 4.5 V ±20V 10990 pF @ 40 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRLS3036

    AUIRLS3036

    MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,943
    AUIRLS3036

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRLS3036-7P

    AUIRLS3036-7P

    MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,897
    AUIRLS3036-7P

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 180A, 10V 2.5V @ 250µA 160 nC @ 4.5 V ±16V 11270 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRLS4030

    AUIRLS4030

    MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,660
    AUIRLS4030

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V 2.5V @ 250µA 130 nC @ 4.5 V ±16V 11360 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRLS4030-7P

    AUIRLS4030-7P

    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,608
    AUIRLS4030-7P

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 110A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11490 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRLU2905

    AUIRLU2905

    MOSFET N-CH 55V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    4,063
    AUIRLU2905

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4V, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    AUIRLU3110Z

    AUIRLU3110Z

    MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    4,489
    AUIRLU3110Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) - 14mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 100µA 48 nC @ 4.5 V - 3980 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    AUIRLZ44ZL

    AUIRLZ44ZL

    MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,256
    AUIRLZ44ZL

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete - - - 51A (Tc) 4.5V, 10V - - - ±16V - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3710ZGPBF

    IRF3710ZGPBF

    MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,815
    IRF3710ZGPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 18mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250mA 120 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF4104GPBF

    IRF4104GPBF

    MOSFET N CH 40V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,306
    IRF4104GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPW50R280CEFKSA1

    IPW50R280CEFKSA1

    MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3

    Infineon Technologies

    8,086
    IPW50R280CEFKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V 773 pF @ 100 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    IPD50R950CEBTMA1

    IPD50R950CEBTMA1

    MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    3,511
    IPD50R950CEBTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.3A (Tc) 13V 950mOhm @ 1.2A, 13V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 231 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD50R280CEBTMA1

    IPD50R280CEBTMA1

    MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

    Infineon Technologies

    7,299
    IPD50R280CEBTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V 773 pF @ 100 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPP50R500CEXKSA1

    IPP50R500CEXKSA1

    MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,964
    IPP50R500CEXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.6A (Tc) 13V 500mOhm @ 2.3A, 13V 3.5V @ 200µA 18.7 nC @ 10 V ±20V 433 pF @ 100 V - - - - - Through Hole PG-TO220-3-1
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.