БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AUIRFS3004-7P

    AUIRFS3004-7P

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

    Infineon Technologies

    7,641
    AUIRFS3004-7P

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9130 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    AUIRFS3107-7P

    AUIRFS3107-7P

    MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,880
    AUIRFS3107-7P

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 240A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRFS3206

    AUIRFS3206

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,479
    AUIRFS3206

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS3207Z

    AUIRFS3207Z

    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,754
    AUIRFS3207Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6920 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS4010

    AUIRFS4010

    MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,335
    AUIRFS4010

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V 9575 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFS4010-7P

    AUIRFS4010-7P

    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,414
    AUIRFS4010-7P

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tc) 10V 4mOhm @ 110A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 9830 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRFS4310Z

    AUIRFS4310Z

    MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,067
    AUIRFS4310Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS4410Z

    AUIRFS4410Z

    MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,090
    AUIRFS4410Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFU1010Z

    AUIRFU1010Z

    MOSFET N-CH 55V 91A TO262

    Infineon Technologies

    5,252
    AUIRFU1010Z

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete - - - 42A (Tc) - - - - - - - - - - - Through Hole TO-262
    AUIRFZ24NS

    AUIRFZ24NS

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    8,988
    AUIRFZ24NS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFZ34N

    AUIRFZ34N

    MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,184
    AUIRFZ34N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRFZ44N

    AUIRFZ44N

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,958
    AUIRFZ44N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRFZ44NS

    AUIRFZ44NS

    MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,237
    AUIRFZ44NS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFZ46NL

    AUIRFZ46NL

    MOSFET N-CH 55V 39A TO262

    Infineon Technologies

    5,311
    AUIRFZ46NL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 39A (Tc) 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1696 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRL2203N

    AUIRL2203N

    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,847
    AUIRL2203N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 1V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRLL014N

    AUIRLL014N

    MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223

    Infineon Technologies

    8,304
    AUIRLL014N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2A (Ta) 4V, 10V 140mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±16V 230 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRLL024N

    AUIRLL024N

    MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223

    Infineon Technologies

    2,976
    AUIRLL024N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.1A (Ta) 4V, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V 2V @ 250µA 15.6 nC @ 5 V ±16V 510 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRLR014N

    AUIRLR014N

    MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

    Infineon Technologies

    3,969
    AUIRLR014N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 7.9 nC @ 5 V ±16V 265 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR120N

    AUIRLR120N

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

    Infineon Technologies

    8,918
    AUIRLR120N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 4V, 10V 185mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 440 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR2908

    AUIRLR2908

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

    Infineon Technologies

    6,683
    AUIRLR2908

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 28mOhm @ 23A, 10V 2.5V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1890 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.