БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    BUK653R3-30C,127

    BUK653R3-30C,127

    MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    5,311
    BUK653R3-30C,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±16V 6960 pF @ 25 V - 204W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PMN35EN,125

    PMN35EN,125

    MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

    Nexperia USA Inc.

    9,135
    PMN35EN,125

    Техническая документация

    - SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.1A (Ta) 4.5V, 10V 31mOhm @ 5.1A, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 334 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    PMV62XN,215

    PMV62XN,215

    MOSFET N-CH SOT-23

    NXP USA Inc.

    3,742
    PMV62XN,215

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PMV65UN,215

    PMV65UN,215

    MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB

    NXP USA Inc.

    5,308
    PMV65UN,215

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 76mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 3.9 nC @ 4.5 V ±8V 183 pF @ 10 V - 310mW (Ta), 2.17W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
    R5009FNX

    R5009FNX

    MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    5,311
    R5009FNX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 840mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±30V 630 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6012FNX

    R6012FNX

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    8,634
    R6012FNX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 510mOhm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 35 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IRFSL4510PBF

    IRFSL4510PBF

    MOSFET N-CH 100V 61A TO262

    Infineon Technologies

    9,236
    IRFSL4510PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 61A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 37A, 10V 4V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 3180 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFR4510PBF

    IRFR4510PBF

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK

    Infineon Technologies

    2,280
    IRFR4510PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 38A, 10V 4V @ 100µA 81 nC @ 10 V ±20V 3031 pF @ 50 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFS4510PBF

    IRFS4510PBF

    MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,692
    IRFS4510PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 61A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 37A, 10V 4V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 3180 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IRFI4510GPBF

    IRFI4510GPBF

    MOSFET N CH 100V 35A TO220

    Infineon Technologies

    3,619
    IRFI4510GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 21A, 10V 4V @ 100µA 81 nC @ 10 V ±20V 2998 pF @ 50 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    AUIRF1404STRL

    AUIRF1404STRL

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,020
    AUIRF1404STRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF3315STRL

    AUIRF3315STRL

    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,245
    AUIRF3315STRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF7207QTR

    AUIRF7207QTR

    MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

    Infineon Technologies

    8,164
    AUIRF7207QTR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Ta) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.6V @ 250µA 22 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRF7416QTR

    AUIRF7416QTR

    MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    4,085
    AUIRF7416QTR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 2.04V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRF7478QTR

    AUIRF7478QTR

    MOSFET N-CH 60V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    9,934
    AUIRF7478QTR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 1740 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRFL014NTR

    AUIRFL014NTR

    MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

    Infineon Technologies

    3,415
    AUIRFL014NTR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 1.5A (Ta) 10V 160mOhm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRFL024NTR

    AUIRFL024NTR

    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

    Infineon Technologies

    9,274
    AUIRFL024NTR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRFR024NTRL

    AUIRFR024NTRL

    MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA

    Infineon Technologies

    2,124
    AUIRFR024NTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) - 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V - 370 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    AUIRFR2407TRL

    AUIRFR2407TRL

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    4,801
    AUIRFR2407TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) - 26mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V - 2400 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFS3207ZTRL

    AUIRFS3207ZTRL

    MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,633
    AUIRFS3207ZTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) - 4.1mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V - 6920 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.