БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AOWF4S60

    AOWF4S60

    MOSFET N-CH 600V 4A TO262F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,057
    AOWF4S60

    Техническая документация

    aMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 900mOhm @ 2A, 10V 4.1V @ 250µA 6 nC @ 10 V ±30V 263 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262F
    AOWF7S60

    AOWF7S60

    MOSFET N-CH 600V 7A TO262F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    5,637
    AOWF7S60

    Техническая документация

    aMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 3.9V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±30V 372 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262F
    AOWF7S65

    AOWF7S65

    MOSFET N-CH 650V 7A TO262F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    9,015
    AOWF7S65

    Техническая документация

    aMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 650mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 9.2 nC @ 10 V ±30V 434 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262F
    FDZ663P

    FDZ663P

    MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP

    onsemi

    2,163
    FDZ663P

    Техническая документация

    PowerTrench® 4-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.7A (Ta) 1.5V, 4.5V 134mOhm @ 2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V ±8V 525 pF @ 10 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
    SIR788DP-T1-GE3

    SIR788DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,771
    SIR788DP-T1-GE3

    Техническая документация

    SkyFET®, TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 2873 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RMW280N03TB

    RMW280N03TB

    MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP

    Rohm Semiconductor

    4,368
    RMW280N03TB

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Lead Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 53 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PSOP
    IRFR812TRPBF

    IRFR812TRPBF

    MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

    Infineon Technologies

    2,525
    IRFR812TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 810 pF @ 25 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR812PBF

    IRFR812PBF

    MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

    Infineon Technologies

    5,521
    IRFR812PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 810 pF @ 25 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR825PBF

    IRFR825PBF

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

    Infineon Technologies

    2,032
    IRFR825PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1346 pF @ 25 V - 119W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFH7107TRPBF

    IRFH7107TRPBF

    MOSFET N-CH 75V 14A/75A 8PQFN

    Infineon Technologies

    7,599
    IRFH7107TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 14A (Ta), 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V 4V @ 100µA 72 nC @ 10 V ±20V 3110 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    NTMFS4833NST1G

    NTMFS4833NST1G

    MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL

    onsemi

    5,899
    NTMFS4833NST1G

    Техническая документация

    SENSEFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta), 156A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 86 nC @ 11.5 V ±20V 5250 pF @ 12 V - 900mW (Ta), 86.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SO-8FL
    NTMFS4833NST3G

    NTMFS4833NST3G

    MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL

    onsemi

    4,699
    NTMFS4833NST3G

    Техническая документация

    SENSEFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta), 156A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 86 nC @ 11.5 V ±20V 5250 pF @ 12 V - 900mW (Ta), 86.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SO-8FL
    NTMFS4854NST1G

    NTMFS4854NST1G

    MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL

    onsemi

    3,799
    NTMFS4854NST1G

    Техническая документация

    SENSEFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15.2A (Ta), 149A (Tc) 3.2V, 10V 2.5mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 85 nC @ 11.5 V ±16V 4830 pF @ 12 V - 900mW (Ta), 86.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SO-8FL
    NTP5860NG

    NTP5860NG

    MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB

    onsemi

    2,897
    NTP5860NG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 220A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 10760 pF @ 25 V - 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTP5860NLG

    NTP5860NLG

    MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB

    onsemi

    9,087
    NTP5860NLG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 220A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 10760 pF @ 25 V - 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    EPC2016

    EPC2016

    GANFET N-CH 100V 11A DIE

    EPC

    2,747
    EPC2016

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 11A (Ta) 5V 16mOhm @ 11A, 5V 2.5V @ 3mA 5.2 nC @ 5 V +6V, -5V 520 pF @ 50 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    2N7002-G

    2N7002-G

    MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

    Comchip Technology

    8,475
    2N7002-G

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 250mA (Ta) 4.5V, 10V 3Ohm @ 250mA, 10V 2.5V @ 250µA 1 nC @ 10 V - 25 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    SI8439DB-T1-E1

    SI8439DB-T1-E1

    MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT

    Vishay Siliconix

    8,133
    SI8439DB-T1-E1

    Техническая документация

    TrenchFET® 4-UFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 5.9A (Ta) 1.2V, 4.5V 25mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±5V - - 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
    BUK6246-75C,118

    BUK6246-75C,118

    MOSFET N-CH 75V 22A DPAK

    Nexperia USA Inc.

    5,241
    BUK6246-75C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 22A (Tc) 4.5V, 10V 46mOhm @ 10A, 10V 2.8V @ 1mA 21.4 nC @ 10 V ±16V 1280 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    BUK626R2-40C,118

    BUK626R2-40C,118

    MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

    Nexperia USA Inc.

    7,807
    BUK626R2-40C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 15A, 10V 2.8V @ 1mA 67 nC @ 10 V ±16V 3720 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.