БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF6798MTRPBF

    IRF6798MTRPBF

    MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    2,661
    IRF6798MTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 37A (Ta), 197A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 37A, 10V 2.35V @ 150µA 75 nC @ 4.5 V ±20V 6560 pF @ 13 V Schottky Diode (Body) 2.8W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    62-0203PBF

    62-0203PBF

    MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

    Infineon Technologies

    2,194
    62-0203PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 16A (Ta) 1.8V, 4.5V 7mOhm @ 16A, 4.5V 900mV @ 250µA 91 nC @ 4.5 V ±8V 8676 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8113GPBF

    IRF8113GPBF

    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

    Infineon Technologies

    8,984
    IRF8113GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.2A (Ta) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 2.2V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±20V 2910 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8252PBF

    IRF8252PBF

    MOSFET N-CH 25V 25A 8SO

    Infineon Technologies

    4,339
    IRF8252PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 25A (Ta) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 100µA 53 nC @ 4.5 V ±20V 5305 pF @ 13 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8788PBF

    IRF8788PBF

    MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

    Infineon Technologies

    8,744
    IRF8788PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 2.35V @ 100µA 66 nC @ 4.5 V ±20V 5720 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFR1018ETRRPBF

    IRFR1018ETRRPBF

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

    Infineon Technologies

    4,705
    IRFR1018ETRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR3410TRRPBF

    IRFR3410TRRPBF

    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

    Infineon Technologies

    3,293
    IRFR3410TRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31A (Tc) 10V 39mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 3W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFS4010TRRPBF

    IRFS4010TRRPBF

    MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,352
    IRFS4010TRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V 9575 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLR8726PBF

    IRLR8726PBF

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

    Infineon Technologies

    5,878
    IRLR8726PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 50µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2150 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR8729PBF

    IRLR8729PBF

    MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

    Infineon Technologies

    2,336
    IRLR8729PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 58A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 4.5 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR8729TRLPBF

    IRLR8729TRLPBF

    MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

    Infineon Technologies

    8,048
    IRLR8729TRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 58A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 4.5 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLS3036TRRPBF

    IRLS3036TRRPBF

    MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,233
    IRLS3036TRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLU8256PBF

    IRLU8256PBF

    MOSFET N-CH 25V 81A IPAK

    Infineon Technologies

    2,019
    IRLU8256PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 81A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 1470 pF @ 13 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRLU8259PBF

    IRLU8259PBF

    MOSFET N-CH 25V 57A IPAK

    Infineon Technologies

    2,396
    IRLU8259PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 57A (Tc) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 21A, 10V 2.35V @ 25µA 10 nC @ 4.5 V ±20V 900 pF @ 13 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SJ621-T1B-AT

    2SJ621-T1B-AT

    MOSFET P-CH 12V SC-96 SOT-23

    Renesas Electronics Corporation

    3,925
    2SJ621-T1B-AT

    Техническая документация

    - SC-96 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3.5A (Ta) - 44mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.2 nC @ 4 V - 630 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount SC-96-3, Thin Mini Mold
    2SJ624-T1B-AT

    2SJ624-T1B-AT

    MOSFET P-CH 20V SC-96 SOT-23

    Renesas Electronics Corporation

    2,436
    2SJ624-T1B-AT

    Техническая документация

    - SC-96 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Ta) - 54mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 8.1 nC @ 4 V - 813 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount SC-96-3, Thin Mini Mold
    2SK3479-Z-E1-AZ

    2SK3479-Z-E1-AZ

    MOSFET N-CH 100V 83A TO-263

    Renesas Electronics Corporation

    6,408
    2SK3479-Z-E1-AZ

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 83A (Tc) - 11mOhm @ 42A, 10V - 210 nC @ 10 V - 11000 pF @ 10 V - 1.5W (Ta), 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263, TO-220SMD
    2SK3576-T1B-AT

    2SK3576-T1B-AT

    MOSFET N-CH 20V SC-96 SOT-23

    Renesas Electronics Corporation

    6,732
    2SK3576-T1B-AT

    Техническая документация

    - SC-96 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) - 50mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.3 nC @ 4 V - 250 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount SC-96-3, Thin Mini Mold
    UPA1815GR-9JG-E1-A

    UPA1815GR-9JG-E1-A

    MOSFET P-CH 20V 8-TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    4,437
    UPA1815GR-9JG-E1-A

    Техническая документация

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7A (Ta) - 15mOhm @ 3.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 25 nC @ 4 V - 3000 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    UPA1917TE-T1-AT

    UPA1917TE-T1-AT

    MOSFET P-CH 20V SC-95

    Renesas Electronics Corporation

    7,990
    UPA1917TE-T1-AT

    Техническая документация

    - SC-95-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Ta) - 53mOhm @ 3A, 4.5V 1.5V @ 1mA 8.1 nC @ 4 V - 835 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount SC-95-6, Mini Mold Thin
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.