БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    UPA1919TE-T1-AT

    UPA1919TE-T1-AT

    MOSFET P-CH 20V SC-95

    Renesas Electronics Corporation

    8,639
    UPA1919TE-T1-AT

    Техническая документация

    - SC-95-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Ta) - 58mOhm @ 3A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6 nC @ 4 V - 680 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount SC-95-6, Mini Mold Thin
    UPA1911ATE-T1-A

    UPA1911ATE-T1-A

    MOSFET P-CH 20V SC-95

    Renesas Electronics Corporation

    9,224
    UPA1911ATE-T1-A

    Техническая документация

    - SC-95-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.5A (Ta) - 115mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.3 nC @ 4 V - 370 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount SC-95-6, Mini Mold Thin
    UPA1803GR-9JG-E1-A

    UPA1803GR-9JG-E1-A

    MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    2,206
    UPA1803GR-9JG-E1-A

    Техническая документация

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) - 12mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 36 nC @ 10 V - 1880 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    UPA1804GR-9JG-E1-A

    UPA1804GR-9JG-E1-A

    MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    5,357
    UPA1804GR-9JG-E1-A

    Техническая документация

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) - 23mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 13.5 nC @ 10 V - 761 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    UPA1809GR-9JG-E1-A

    UPA1809GR-9JG-E1-A

    MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    2,169
    UPA1809GR-9JG-E1-A

    Техническая документация

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) - 21mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V - 520 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    UPA1814GR-9JG-E1-A

    UPA1814GR-9JG-E1-A

    MOSFET P-CH 30V 8-TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    8,773
    UPA1814GR-9JG-E1-A

    Техническая документация

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) - 16mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 38 nC @ 10 V - 2180 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    UPA1930TE-T1-AT

    UPA1930TE-T1-AT

    MOSFET P-CH 30V SC-95

    Renesas Electronics Corporation

    3,357
    UPA1930TE-T1-AT

    Техническая документация

    - SC-95-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.5A (Ta) - 77mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 7.5 nC @ 10 V - 325 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount SC-95-6, Mini Mold Thin
    MTD5P06VT4GV

    MTD5P06VT4GV

    MOSFET P-CH 60V 5A DPAK

    onsemi

    4,469
    MTD5P06VT4GV

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Tc) 10V 450mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±15V 510 pF @ 25 V - 2.1W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    MTD6N15T4GV

    MTD6N15T4GV

    MOSFET N-CH 150V 6A DPAK

    onsemi

    2,276
    MTD6N15T4GV

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 6A (Tc) 10V 300mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 1.25W (Ta), 20W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NDF10N62ZG

    NDF10N62ZG

    MOSFET N-CH 620V 10A TO220FP

    onsemi

    3,971
    NDF10N62ZG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 10A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 100µA 47 nC @ 10 V ±30V 1425 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    NDF11N50ZG

    NDF11N50ZG

    MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP

    onsemi

    3,027
    NDF11N50ZG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 520mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±30V 1645 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    NTD5865N-1G

    NTD5865N-1G

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

    onsemi

    9,223
    NTD5865N-1G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1261 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NTD5865NL-1G

    NTD5865NL-1G

    MOSFET N-CH 60V 46A IPAK

    onsemi

    3,033
    NTD5865NL-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 46A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD5867NL-1G

    NTD5867NL-1G

    MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

    onsemi

    9,496
    NTD5867NL-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 39mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 675 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTTFS5811NLTAG

    NTTFS5811NLTAG

    MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN

    onsemi

    4,383
    NTTFS5811NLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17A (Ta), 53A (Tc) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1570 pF @ 25 V - 2.7W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NTTFS5811NLTWG

    NTTFS5811NLTWG

    MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN

    onsemi

    7,426
    NTTFS5811NLTWG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17A (Ta), 53A (Tc) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1570 pF @ 25 V - 2.7W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NTTFS5820NLTWG

    NTTFS5820NLTWG

    MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN

    onsemi

    5,984
    NTTFS5820NLTWG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Ta), 37A (Tc) 4.5V, 10V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 2.3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 1462 pF @ 25 V - 2.7W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IXTF1N400

    IXTF1N400

    MOSFET N-CH 4000V 1A I4PAC

    IXYS

    5,641
    IXTF1N400

    Техническая документация

    - i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4000 V 1A (Tc) 10V 60Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 2530 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    NTMFS4899NFT1G

    NTMFS4899NFT1G

    MOSFET N-CH 30V 10.4A/75A 5DFN

    onsemi

    8,252
    NTMFS4899NFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10.4A (Ta), 75A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 12 V - 920mW (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTD4960N-1G

    NTD4960N-1G

    MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK

    onsemi

    6,339
    NTD4960N-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 15 V - 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.