БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPP065N04N G

    IPP065N04N G

    MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

    Infineon Technologies

    2,554
    IPP065N04N G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 200µA 34 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 20 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP120N06S4H1AKSA1

    IPP120N06S4H1AKSA1

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

    Infineon Technologies

    9,274
    IPP120N06S4H1AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 200µA 270 nC @ 10 V ±20V 21900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N04S3H4AKSA1

    IPP80N04S3H4AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    4,711
    IPP80N04S3H4AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 65µA 60 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S405AKSA1

    IPP80N06S405AKSA1

    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    9,731
    IPP80N06S405AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S407AKSA1

    IPP80N06S407AKSA1

    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    8,525
    IPP80N06S407AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80P03P4L04AKSA1

    IPP80P03P4L04AKSA1

    MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,432
    IPP80P03P4L04AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 2V @ 253µA 160 nC @ 10 V +5V, -16V 11300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80P03P4L07AKSA1

    IPP80P03P4L07AKSA1

    MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,586
    IPP80P03P4L07AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80 nC @ 10 V +5V, -16V 5700 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP90N06S4L04AKSA1

    IPP90N06S4L04AKSA1

    MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,632
    IPP90N06S4L04AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V 13000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPS110N12N3GBKMA1

    IPS110N12N3GBKMA1

    MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

    Infineon Technologies

    3,405
    IPS110N12N3GBKMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 75A (Tc) 10V 11mOhm @ 75A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 4310 pF @ 60 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPB031NE7N3GATMA1

    IPB031NE7N3GATMA1

    MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    8,131
    IPB031NE7N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 155µA 117 nC @ 10 V ±20V 8130 pF @ 37.5 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    SI7860ADP-T1-E3

    SI7860ADP-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    4,437
    SI7860ADP-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 16A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    2N7002E

    2N7002E

    MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

    Vishay Siliconix

    3,795
    2N7002E

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340mA 4.5V, 10V 5Ohm @ 300mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 21 pF @ 5 V - 350mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    STP5N95K3

    STP5N95K3

    MOSFET N-CH 950V 4A TO220

    STMicroelectronics

    3,664
    STP5N95K3

    Техническая документация

    SuperMESH3™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 4A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 19 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STW13NM60N

    STW13NM60N

    MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

    STMicroelectronics

    4,935
    STW13NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 790 pF @ 50 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    EPC2001

    EPC2001

    GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE

    EPC

    3,682
    EPC2001

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 25A (Ta) 5V 7mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 5mA 10 nC @ 5 V +6V, -5V 950 pF @ 50 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2010

    EPC2010

    GANFET N-CH 200V 12A DIE

    EPC

    9,605
    EPC2010

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 12A (Ta) 5V 25mOhm @ 6A, 5V 2.5V @ 3mA 7.5 nC @ 5 V +6V, -4V 540 pF @ 100 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2012

    EPC2012

    GANFET N-CH 200V 3A DIE

    EPC

    2,980
    EPC2012

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 3A (Ta) 5V 100mOhm @ 3A, 5V 2.5V @ 1mA 1.8 nC @ 5 V +6V, -5V 145 pF @ 100 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2014

    EPC2014

    GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

    EPC

    8,087
    EPC2014

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 10A (Ta) 5V 16mOhm @ 5A, 5V 2.5V @ 2mA 2.8 nC @ 5 V +6V, -5V 325 pF @ 20 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2015

    EPC2015

    GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE

    EPC

    5,496
    EPC2015

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 33A (Ta) 5V 4mOhm @ 33A, 5V 2.5V @ 9mA 11.6 nC @ 5 V +6V, -5V 1200 pF @ 20 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    AOT3N50

    AOT3N50

    MOSFET N-CH 500V 3A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    9,218
    AOT3N50

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 331 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.