БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 103AT-2 TPS54560DDAR LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IPD50N06S409ATMA1

      IPD50N06S409ATMA1

      MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,624
      Запрос на предложение
      		IPD50N06S409ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 9mOhm @ 50A, 10V 4V @ 34µA 47 nC @ 10 V ±20V 3785 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD60R520C6BTMA1

      IPD60R520C6BTMA1

      MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 4,054
      Запрос на предложение
      		IPD60R520C6BTMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.1A (Tc) 10V 520mOhm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 230µA 23.4 nC @ 10 V ±20V 512 pF @ 100 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPD90N06S404ATMA1

      IPD90N06S404ATMA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,398
      Запрос на предложение
      		IPD90N06S404ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 128 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD90N06S405ATMA1

      IPD90N06S405ATMA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 5,826
      Запрос на предложение
      		IPD90N06S405ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 5.1mOhm @ 90A, 10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD90N06S407ATMA1

      IPD90N06S407ATMA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 3,939
      Запрос на предложение
      		IPD90N06S407ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 6.9mOhm @ 90A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD90N06S4L03ATMA1

      IPD90N06S4L03ATMA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 8,216
      Запрос на предложение
      		IPD90N06S4L03ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V 13000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD90N06S4L05ATMA1

      IPD90N06S4L05ATMA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 3,262
      Запрос на предложение
      		IPD90N06S4L05ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 60µA 110 nC @ 10 V ±16V 8180 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD90N06S4L06ATMA1

      IPD90N06S4L06ATMA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 5,665
      Запрос на предложение
      		IPD90N06S4L06ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 40µA 75 nC @ 10 V ±16V 5680 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPI023NE7N3 G

      IPI023NE7N3 G

      MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 8,539
      Запрос на предложение
      		IPI023NE7N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) - 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 273µA 206 nC @ 10 V - 14400 pF @ 37.5 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI034NE7N3 G

      IPI034NE7N3 G

      MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 7,700
      Запрос на предложение
      		IPI034NE7N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) - 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 155µA 117 nC @ 10 V - 8130 pF @ 37.5 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI052NE7N3 G

      IPI052NE7N3 G

      MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 2,885
      Запрос на предложение
      		IPI052NE7N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 91µA 68 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 37.5 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI126N10N3 G

      IPI126N10N3 G

      MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,326
      Запрос на предложение
      		IPI126N10N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 58A (Tc) 6V, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 50 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI45N06S4L08AKSA1

      IPI45N06S4L08AKSA1

      MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 7,975
      Запрос на предложение
      		IPI45N06S4L08AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 45A, 10V 2.2V @ 35µA 64 nC @ 10 V ±16V 4780 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI45P03P4L11AKSA1

      IPI45P03P4L11AKSA1

      MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,897
      Запрос на предложение
      		IPI45P03P4L11AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Tc) 4.5V, 10V 11.1mOhm @ 45A, 10V 2V @ 85µA 55 nC @ 10 V +5V, -16V 3770 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI50R199CPXKSA1

      IPI50R199CPXKSA1

      MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 3,561
      Запрос на предложение
      		IPI50R199CPXKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 17A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 45 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 100 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI60R380C6XKSA1

      IPI60R380C6XKSA1

      MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 6,116
      Запрос на предложение
      		IPI60R380C6XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80N06S405AKSA1

      IPI80N06S405AKSA1

      MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 9,896
      Запрос на предложение
      		IPI80N06S405AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80N06S407AKSA1

      IPI80N06S407AKSA1

      MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,134
      Запрос на предложение
      		IPI80N06S407AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80P03P4L04AKSA1

      IPI80P03P4L04AKSA1

      MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 9,980
      Запрос на предложение
      		IPI80P03P4L04AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 2V @ 253µA 160 nC @ 10 V +5V, -16V 11300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80P03P4L07AKSA1

      IPI80P03P4L07AKSA1

      MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 8,499
      Запрос на предложение
      		IPI80P03P4L07AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80 nC @ 10 V +5V, -16V 5700 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      Total 36322 Record«Prev1... 16071608160916101611161216131614...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]