БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AOT2N60

    AOT2N60

    MOSFET N-CH 600V 2A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,604
    AOT2N60

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 250µA 11.4 nC @ 10 V ±30V 325 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT3N60

    AOT3N60

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    4,364
    AOT3N60

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.5A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.25A, 10V 4.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±30V 370 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT5N60

    AOT5N60

    MOSFET N-CH 600V 5A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    9,009
    AOT5N60

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 132W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT8N60

    AOT8N60

    MOSFET N-CH 600V 8A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    5,954
    AOT8N60

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 900mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT12N60

    AOT12N60

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    8,744
    AOT12N60

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 2100 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AO4452

    AO4452

    MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    7,857
    AO4452

    Техническая документация

    SDMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Ta) 7V, 10V 25mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±25V 2200 pF @ 50 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AOT416

    AOT416

    MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,054
    AOT416

    Техническая документация

    SDMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.7A (Ta), 42A (Tc) 7V, 10V 37mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±25V 1450 pF @ 50 V - 1.92W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRF1405ZSTRL7PP

    IRF1405ZSTRL7PP

    MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,700
    IRF1405ZSTRL7PP

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 88A, 10V 4V @ 150µA 230 nC @ 10 V ±20V 5360 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF6201TRPBF

    IRF6201TRPBF

    MOSFET N-CH 20V 27A 8SO

    Infineon Technologies

    9,338
    IRF6201TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 27A (Ta) 2.5V, 4.5V 2.45mOhm @ 27A, 4.5V 1.1V @ 100µA 195 nC @ 4.5 V ±12V 8555 pF @ 16 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7424GTRPBF

    IRF7424GTRPBF

    MOSFET P-CH 30V 11A 8SO

    Infineon Technologies

    3,589
    IRF7424GTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 4030 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7524D1GTRPBF

    IRF7524D1GTRPBF

    MOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMD

    Infineon Technologies

    3,931
    IRF7524D1GTRPBF

    Техническая документация

    FETKY™ 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 270mOhm @ 1.2A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 8.2 nC @ 4.5 V ±12V 240 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-uSMD
    IRF8113GTRPBF

    IRF8113GTRPBF

    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

    Infineon Technologies

    6,891
    IRF8113GTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.2A (Ta) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 2.2V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±20V 2910 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9204PBF

    IRF9204PBF

    MOSFET P-CH 40V 56A TO220AB

    Infineon Technologies

    4,663
    IRF9204PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta) 4.5V, 10V 16mOhm @ 37A, 10V 3V @ 100µA 224 nC @ 10 V ±20V 7676 pF @ 25 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFB3077GPBF

    IRFB3077GPBF

    MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,640
    IRFB3077GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFB4310GPBF

    IRFB4310GPBF

    MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,214
    IRFB4310GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFB4310ZGPBF

    IRFB4310ZGPBF

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

    Infineon Technologies

    4,151
    IRFB4310ZGPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFS4228TRLPBF

    IRFS4228TRLPBF

    MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,112
    IRFS4228TRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 83A (Tc) 10V 15mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 4530 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFSL4229PBF

    IRFSL4229PBF

    MOSFET N-CH 250V 45A TO262

    Infineon Technologies

    7,108
    IRFSL4229PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 45A (Tc) 10V 48mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4560 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRLB3036GPBF

    IRLB3036GPBF

    MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,205
    IRLB3036GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRLR024ZTRPBF

    IRLR024ZTRPBF

    MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

    Infineon Technologies

    7,702
    IRLR024ZTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V 3V @ 250µA 9.9 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.