БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    BUK9240-100A/C1,11

    BUK9240-100A/C1,11

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

    NXP USA Inc.

    7,543
    BUK9240-100A/C1,11

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Tc) 4.5V, 10V 38.6mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3072 pF @ 25 V - 114W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    BUK9237-55A/C1,118

    BUK9237-55A/C1,118

    MOSFET N-CH 55V 32A DPAK

    NXP USA Inc.

    8,296
    BUK9237-55A/C1,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 32A (Tc) 4.5V, 10V 33mOhm @ 15A, 10V 2V @ 1mA 17.6 nC @ 5 V ±15V 1236 pF @ 25 V - 77W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    BUK9222-55A/C1,118

    BUK9222-55A/C1,118

    MOSFET N-CH 55V 48A DPAK

    NXP USA Inc.

    8,851
    BUK9222-55A/C1,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 48A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±15V 2210 pF @ 25 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    BUK7210-55B/C1,118

    BUK7210-55B/C1,118

    MOSFET N-CH 55V 75A DPAK

    NXP USA Inc.

    9,369
    BUK7210-55B/C1,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 10mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 35 nC @ 10 V ±20V 2453 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 185°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    2N7002CK,215

    2N7002CK,215

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

    Nexperia USA Inc.

    2,290
    2N7002CK,215

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 300mA (Ta) 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 1.3 nC @ 4.5 V ±20V 55 pF @ 25 V - 350mW (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-236AB
    NDD03N60ZT4G

    NDD03N60ZT4G

    MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK

    onsemi

    5,346
    NDD03N60ZT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.6A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 12 nC @ 10 V ±30V 312 pF @ 25 V - 61W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NTB6410ANG

    NTB6410ANG

    MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

    onsemi

    9,860
    NTB6410ANG

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 76A (Tc) 10V 13mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    NTD4959N-35G

    NTD4959N-35G

    MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK

    onsemi

    7,262
    NTD4959N-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 11.5 V ±20V 1456 pF @ 12 V - 1.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD4959NH-35G

    NTD4959NH-35G

    MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK

    onsemi

    4,731
    NTD4959NH-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 44 nC @ 11.5 V ±20V 2155 pF @ 12 V - 1.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD4963N-35G

    NTD4963N-35G

    MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK

    onsemi

    7,870
    NTD4963N-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.1A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 16.2 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 12 V - 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD4963NT4G

    NTD4963NT4G

    MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAK

    onsemi

    7,155
    NTD4963NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.1A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 16.2 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 12 V - 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NTMFS4897NFT3G

    NTMFS4897NFT3G

    MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN

    onsemi

    2,167
    NTMFS4897NFT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta), 171A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 22A, 10V 2.5V @ 1mA 83.6 nC @ 10 V ±20V 5660 pF @ 15 V - 950mW (Ta), 96.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SSM3K106TU(TE85L)

    SSM3K106TU(TE85L)

    MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,371
    SSM3K106TU(TE85L)

    Техническая документация

    π-MOSVI 3-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.2A (Ta) 4V, 10V 310mOhm @ 600mA, 10V 2.3V @ 100µA - ±20V 36 pF @ 10 V - 500mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount UFM
    TK13A65U(STA4,Q,M)

    TK13A65U(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,355
    TK13A65U(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    DTMOSII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13A (Ta) 10V 380mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 17 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK4A60D(STA4,Q,M)

    TK4A60D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,662
    TK4A60D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TPCC8003-H(TE12LQM

    TPCC8003-H(TE12LQM

    MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,245
    TPCC8003-H(TE12LQM

    Техническая документация

    U-MOSVI-H 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 16.9mOhm @ 6.5A, 10V 2.3V @ 200µA 17 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 22W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
    TPCC8008(TE12L,QM)

    TPCC8008(TE12L,QM)

    MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,239
    TPCC8008(TE12L,QM)

    Техническая документация

    U-MOSIV 8-VDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Ta) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 12.5A, 10V 2.5V @ 1A 30 nC @ 10 V ±25V 1600 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
    HAT1072H-EL-E

    HAT1072H-EL-E

    MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,462
    HAT1072H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V - 155 nC @ 10 V +10V, -20V 9500 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2170H-EL-E

    HAT2170H-EL-E

    MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    8,591
    HAT2170H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Ta) 7V, 10V 4.2mOhm @ 22.5A, 10V 3V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±20V 4650 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2172H-EL-E

    HAT2172H-EL-E

    MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    9,570
    HAT2172H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Ta) 7V, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±20V 2420 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.