БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD082N10N3GBTMA1

    IPD082N10N3GBTMA1

    MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

    Infineon Technologies

    9,753
    IPD082N10N3GBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 6V, 10V 8.2mOhm @ 73A, 10V 3.5V @ 75µA 55 nC @ 10 V ±20V 3980 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD088N04LGBTMA1

    IPD088N04LGBTMA1

    MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,149
    IPD088N04LGBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 50A, 10V 2V @ 16µA 28 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD096N08N3GBTMA1

    IPD096N08N3GBTMA1

    MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,488
    IPD096N08N3GBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 73A (Tc) 6V, 10V 9.6mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 40 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD105N04LGBTMA1

    IPD105N04LGBTMA1

    MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,992
    IPD105N04LGBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 40A, 10V 2V @ 14µA 23 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 20 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD12CN10NGBUMA1

    IPD12CN10NGBUMA1

    MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,497
    IPD12CN10NGBUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 67A (Tc) 10V 12.4mOhm @ 67A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 4320 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD135N08N3GBTMA1

    IPD135N08N3GBTMA1

    MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,508
    IPD135N08N3GBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 45A (Tc) 6V, 10V 13.5mOhm @ 45A, 10V 3.5V @ 33µA 25 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 40 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD14N06S280ATMA1

    IPD14N06S280ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,053
    IPD14N06S280ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 80mOhm @ 7A, 10V 4V @ 14µA 10 nC @ 10 V ±20V 293 pF @ 25 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD160N04LGBTMA1

    IPD160N04LGBTMA1

    MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    4,739
    IPD160N04LGBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 30A, 10V 2V @ 10µA 15 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 20 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD170N04NGBTMA1

    IPD170N04NGBTMA1

    MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,536
    IPD170N04NGBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Tc) 10V 17mOhm @ 30A, 10V 4V @ 10µA 11 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 20 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD250N06N3GBTMA1

    IPD250N06N3GBTMA1

    MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3

    Infineon Technologies

    3,463
    IPD250N06N3GBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Tc) 10V 25mOhm @ 28A, 10V 4V @ 11µA 15 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 30 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD25CNE8N G

    IPD25CNE8N G

    MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

    Infineon Technologies

    6,708
    IPD25CNE8N G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 85 V 35A (Tc) 10V 25mOhm @ 35A, 10V 4V @ 39µA 31 nC @ 10 V ±20V 2070 pF @ 40 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD25N06S240ATMA1

    IPD25N06S240ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,150
    IPD25N06S240ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 13A, 10V 4V @ 26µA 18 nC @ 10 V ±20V 513 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD26N06S2L35ATMA1

    IPD26N06S2L35ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    3,626
    IPD26N06S2L35ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 13A, 10V 2V @ 26µA 24 nC @ 10 V ±20V 621 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD30N03S2L07ATMA1

    IPD30N03S2L07ATMA1

    MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,683
    IPD30N03S2L07ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 30A, 10V 2V @ 85µA 68 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD30N06S2-15

    IPD30N06S2-15

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    6,537
    IPD30N06S2-15

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 14.7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 80µA 110 nC @ 10 V ±20V 1485 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD30N06S223ATMA1

    IPD30N06S223ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    4,635
    IPD30N06S223ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 23mOhm @ 21A, 10V 4V @ 50µA 32 nC @ 10 V ±20V 901 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD30N06S2L-13

    IPD30N06S2L-13

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    9,567
    IPD30N06S2L-13

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 2V @ 80µA 69 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD33CN10NGBUMA1

    IPD33CN10NGBUMA1

    MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

    Infineon Technologies

    7,928
    IPD33CN10NGBUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 27A (Tc) 10V 33mOhm @ 27A, 10V 4V @ 29µA 24 nC @ 10 V ±20V 1570 pF @ 50 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD50N06S214ATMA1

    IPD50N06S214ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,942
    IPD50N06S214ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 50A (Tc) 10V 14.4mOhm @ 32A, 10V 4V @ 80µA 52 nC @ 10 V ±20V 1485 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD50N06S2L13ATMA1

    IPD50N06S2L13ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,924
    IPD50N06S2L13ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 12.7mOhm @ 34A, 10V 2V @ 80µA 69 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.