БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IPD50P03P4L11ATMA1

      IPD50P03P4L11ATMA1

      MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 9,797
      Запрос на предложение
      		IPD50P03P4L11ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 50A, 10V 2V @ 85µA 55 nC @ 10 V +5V, -16V 3770 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD70N04S3-07

      IPD70N04S3-07

      MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 6,211
      Запрос на предложение
      		IPD70N04S3-07

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 82A (Tc) 10V 6mOhm @ 70A, 10V 4V @ 50µA 40 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD80N06S3-09

      IPD80N06S3-09

      MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 7,665
      Запрос на предложение
      		IPD80N06S3-09

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 40A, 10V 4V @ 55µA 88 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPD90P03P4L04ATMA1

      IPD90P03P4L04ATMA1

      MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 9,691
      Запрос на предложение
      		IPD90P03P4L04ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 90A, 10V 2V @ 253µA 160 nC @ 10 V +5V, -16V 11300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-11
      IPI024N06N3GHKSA1

      IPI024N06N3GHKSA1

      MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 7,462
      Запрос на предложение
      		IPI024N06N3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 196µA 275 nC @ 10 V ±20V 23000 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI028N08N3GHKSA1

      IPI028N08N3GHKSA1

      MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 6,235
      Запрос на предложение
      		IPI028N08N3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 6V, 10V 2.8mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 270µA 206 nC @ 10 V ±20V 14200 pF @ 40 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI030N10N3GHKSA1

      IPI030N10N3GHKSA1

      MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 6,793
      Запрос на предложение
      		IPI030N10N3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 275µA 206 nC @ 10 V ±20V 14800 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI032N06N3 G

      IPI032N06N3 G

      MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,260
      Запрос на предложение
      		IPI032N06N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 118µA 165 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI037N06L3GHKSA1

      IPI037N06L3GHKSA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 3,919
      Запрос на предложение
      		IPI037N06L3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 93µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 13000 pF @ 30 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI037N08N3GHKSA1

      IPI037N08N3GHKSA1

      MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 9,817
      Запрос на предложение
      		IPI037N08N3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 6V, 10V 3.75mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 155µA 117 nC @ 10 V ±20V 8110 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI040N06N3GHKSA1

      IPI040N06N3GHKSA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 3,328
      Запрос на предложение
      		IPI040N06N3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 4mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI100N08N3GHKSA1

      IPI100N08N3GHKSA1

      MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 9,192
      Запрос на предложение
      		IPI100N08N3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 70A (Tc) 6V, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 40 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI100N08S207AKSA1

      IPI100N08S207AKSA1

      MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 9,974
      Запрос на предложение
      		IPI100N08S207AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) 10V 7.1mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI139N08N3GHKSA1

      IPI139N08N3GHKSA1

      MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 4,294
      Запрос на предложение
      		IPI139N08N3GHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 45A (Tc) 6V, 10V 13.9mOhm @ 45A, 10V 3.5V @ 33µA 25 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 40 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI200N15N3 G

      IPI200N15N3 G

      MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,550
      Запрос на предложение
      		IPI200N15N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 50A (Tc) 8V, 10V 20mOhm @ 50A, 10V 4V @ 90µA 31 nC @ 10 V ±20V 1820 pF @ 75 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI22N03S4L15AKSA1

      IPI22N03S4L15AKSA1

      MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 4,867
      Запрос на предложение
      		IPI22N03S4L15AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Tc) 4.5V, 10V 14.9mOhm @ 22A, 10V 2.2V @ 10µA 14 nC @ 10 V ±16V 980 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI50CN10NGHKSA1

      IPI50CN10NGHKSA1

      MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,686
      Запрос на предложение
      		IPI50CN10NGHKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 10V 50mOhm @ 20A, 10V 4V @ 20µA 16 nC @ 10 V ±20V 1090 pF @ 50 V - 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI50R399CPXKSA1

      IPI50R399CPXKSA1

      MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 3,831
      Запрос на предложение
      		IPI50R399CPXKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 3.5V @ 330µA 23 nC @ 10 V ±20V 890 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI60R520CPAKSA1

      IPI60R520CPAKSA1

      MOSFET N-CH 600V 6.8A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 8,095
      Запрос на предложение
      		IPI60R520CPAKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.8A (Tc) 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 340µA 31 nC @ 10 V ±20V 630 pF @ 100 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI70N04S307AKSA1

      IPI70N04S307AKSA1

      MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 2,985
      Запрос на предложение
      		IPI70N04S307AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 70A, 10V 4V @ 50µA 40 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      Total 36322 Record«Prev1... 15891590159115921593159415951596...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]