БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPA90R340C3XKSA1

    IPA90R340C3XKSA1

    MOSFET N-CH 900V 15A TO220-FP

    Infineon Technologies

    3,804
    IPA90R340C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 15A (Tc) 10V 340mOhm @ 9.2A, 10V 3.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPA90R500C3XKSA1

    IPA90R500C3XKSA1

    MOSFET N-CH 900V 11A TO220-FP

    Infineon Technologies

    2,738
    IPA90R500C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 740µA 68 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPA90R800C3XKSA1

    IPA90R800C3XKSA1

    MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP

    Infineon Technologies

    8,278
    IPA90R800C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.9A (Tc) 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 3.5V @ 460µA 42 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPB021N06N3GATMA1

    IPB021N06N3GATMA1

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,175
    IPB021N06N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 196µA 275 nC @ 10 V ±20V 23000 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB022N04LGATMA1

    IPB022N04LGATMA1

    MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,045
    IPB022N04LGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 90A, 10V 2V @ 95µA 166 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 20 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB023N06N3GATMA1

    IPB023N06N3GATMA1

    MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

    Infineon Technologies

    5,697
    IPB023N06N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 140A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 4V @ 141µA 198 nC @ 10 V ±20V 16000 pF @ 30 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    IPB034N06N3GATMA1

    IPB034N06N3GATMA1

    MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

    Infineon Technologies

    7,353
    IPB034N06N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 93µA 130 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 30 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    IPB039N04LGATMA1

    IPB039N04LGATMA1

    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,673
    IPB039N04LGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 80A, 10V 2V @ 45µA 78 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB08CN10N G

    IPB08CN10N G

    MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,307
    IPB08CN10N G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 95A (Tc) 10V 8.2mOhm @ 95A, 10V 4V @ 130µA 100 nC @ 10 V ±20V 6660 pF @ 50 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB093N04LGATMA1

    IPB093N04LGATMA1

    MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,516
    IPB093N04LGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 16µA 28 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB100N04S204ATMA1

    IPB100N04S204ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    9,658
    IPB100N04S204ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 172 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB100N04S2L03ATMA1

    IPB100N04S2L03ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    6,746
    IPB100N04S2L03ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB100N06S205ATMA1

    IPB100N06S205ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    2,755
    IPB100N06S205ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB100N06S2L05ATMA1

    IPB100N06S2L05ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    7,536
    IPB100N06S2L05ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB12CN10N G

    IPB12CN10N G

    MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,417
    IPB12CN10N G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 67A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 67A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 4320 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB160N04S203ATMA1

    IPB160N04S203ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

    Infineon Technologies

    8,476
    IPB160N04S203ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    IPB160N04S2L03ATMA1

    IPB160N04S2L03ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

    Infineon Technologies

    6,130
    IPB160N04S2L03ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 5 V ±20V 6000 pF @ 15 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    IPB230N06L3GATMA1

    IPB230N06L3GATMA1

    MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,222
    IPB230N06L3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10 nC @ 4.5 V ±20V 1600 pF @ 30 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB26CN10NGATMA1

    IPB26CN10NGATMA1

    MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,722
    IPB26CN10NGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 10V 26mOhm @ 35A, 10V 4V @ 39µA 31 nC @ 10 V ±20V 2070 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB34CN10NGATMA1

    IPB34CN10NGATMA1

    MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,942
    IPB34CN10NGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 27A (Tc) 10V 34mOhm @ 27A, 10V 4V @ 29µA 24 nC @ 10 V ±20V 1570 pF @ 50 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.