БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    2SK4016(Q)

    2SK4016(Q)

    MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,536
    2SK4016(Q)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Ta) 10V 500mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±30V 3100 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    2SK4017(Q)

    2SK4017(Q)

    MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,745
    2SK4017(Q)

    Техническая документация

    U-MOSIII TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 100mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 730 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole PW-MOLD2
    2SK4021(Q)

    2SK4021(Q)

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,117
    2SK4021(Q)

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.5A (Ta) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole PW-MOLD2
    TPC8026(TE12L,Q,M)

    TPC8026(TE12L,Q,M)

    MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,352
    TPC8026(TE12L,Q,M)

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 42 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
    TPC8036-H(TE12L,QM

    TPC8036-H(TE12L,QM

    MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,406
    TPC8036-H(TE12L,QM

    Техническая документация

    U-MOSVI-H 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 9A, 10V 2.3V @ 1mA 49 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
    TPCA8036-H(TE12L,Q

    TPCA8036-H(TE12L,Q

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,978
    TPCA8036-H(TE12L,Q

    Техническая документация

    U-MOSVI-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 38A (Ta) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 19A, 10V 2.3V @ 500µA 50 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    TPCA8A02-H(TE12LQM

    TPCA8A02-H(TE12LQM

    MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,670
    TPCA8A02-H(TE12LQM

    Техническая документация

    U-MOSV-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 34A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 17A, 10V 2.3V @ 1mA 36 nC @ 10 V ±20V 3430 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    TPCA8A04-H(TE12L,Q

    TPCA8A04-H(TE12L,Q

    MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,418
    TPCA8A04-H(TE12L,Q

    Техническая документация

    U-MOSV-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Ta) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 22A, 10V 2.3V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 10 V - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    TPCP8003-H(TE85L,F

    TPCP8003-H(TE85L,F

    MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,078
    TPCP8003-H(TE85L,F

    Техническая документация

    U-MOSIII-H 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.2A (Ta) 4.5V, 10V 180mOhm @ 1.1A, 10V 2.3V @ 1mA 7.5 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 10 V - 840mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount PS-8 (2.9x2.4)
    TK10A60D(STA4,Q,M)

    TK10A60D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,140
    TK10A60D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK13A60D(STA4,Q,M)

    TK13A60D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,464
    TK13A60D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Ta) 10V 430mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±30V 2300 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK6A60D(STA4,Q,M)

    TK6A60D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,901
    TK6A60D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Ta) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 4V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±30V 800 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TPC8042(TE12L,Q,M)

    TPC8042(TE12L,Q,M)

    MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,114
    TPC8042(TE12L,Q,M)

    Техническая документация

    U-MOSIV 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
    TPC8048-H(TE12L,Q)

    TPC8048-H(TE12L,Q)

    MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,865
    TPC8048-H(TE12L,Q)

    Техническая документация

    U-MOSVI-H 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 6.9mOhm @ 8A, 10V 2.3V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 7540 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
    NTD5806NT4G

    NTD5806NT4G

    MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

    onsemi

    9,987
    NTD5806NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 33A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    RDN050N20FU6

    RDN050N20FU6

    MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN

    Rohm Semiconductor

    9,340
    RDN050N20FU6

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Ta) 10V 720mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 1mA 18.6 nC @ 10 V ±30V 292 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FN
    RDN100N20FU6

    RDN100N20FU6

    MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

    Rohm Semiconductor

    6,739
    RDN100N20FU6

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 10A (Ta) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±30V 543 pF @ 10 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FN
    RDN150N20FU6

    RDN150N20FU6

    MOSFET N-CH 200V 15A TO220FN

    Rohm Semiconductor

    3,676
    RDN150N20FU6

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 15A (Ta) 10V 160mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA 64 nC @ 10 V ±30V 1224 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FN
    BSC152N10NSFGATMA1

    BSC152N10NSFGATMA1

    MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON

    Infineon Technologies

    4,163
    BSC152N10NSFGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.4A (Ta), 63A (Tc) 10V 15.2mOhm @ 25A, 10V 4V @ 72µA 29 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 50 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-1
    BSC200P03LSGAUMA1

    BSC200P03LSGAUMA1

    MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON

    Infineon Technologies

    7,788
    BSC200P03LSGAUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 10V 20mOhm @ 12.5A, 10V 2.2V @ 100µA 48.5 nC @ 10 V ±25V 2430 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-1
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.