БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SFW9Z34TM

    SFW9Z34TM

    MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

    onsemi

    5,862
    SFW9Z34TM

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1155 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SSH70N10A

    SSH70N10A

    MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN

    onsemi

    9,054
    SSH70N10A

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 23mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 4870 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
    SSP45N20B_FP001

    SSP45N20B_FP001

    MOSFET N-CH 200V 35A TO220-3

    onsemi

    9,684
    SSP45N20B_FP001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 35A (Tc) 10V 65mOhm @ 17.5A, 10V 4V @ 250µA 173 nC @ 10 V ±30V 4300 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SSR1N60BTM

    SSR1N60BTM

    MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK

    onsemi

    3,258
    SSR1N60BTM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 900mA (Tc) 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±30V 215 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    SSR1N60BTM-WS

    SSR1N60BTM-WS

    MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK

    onsemi

    9,239
    SSR1N60BTM-WS

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 900mA (Tc) 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±30V 215 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    SSU1N60BTU-WS

    SSU1N60BTU-WS

    MOSFET N-CH 600V 900MA IPAK

    onsemi

    2,421
    SSU1N60BTU-WS

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 900mA (Tc) 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±30V 215 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SJ304(F)

    2SJ304(F)

    MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,390
    2SJ304(F)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Ta) 4V, 10V 120mOhm @ 7A, 10V 2V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
    2SJ610(TE16L1,NQ)

    2SJ610(TE16L1,NQ)

    MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,685
    2SJ610(TE16L1,NQ)

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2A (Ta) 10V 2.55Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 381 pF @ 10 V - 20W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
    2SJ681(Q)

    2SJ681(Q)

    MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,257
    2SJ681(Q)

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 170mOhm @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 10 V - 20W (Ta) 150°C (TJ) - - Through Hole PW-MOLD2
    2SK2507(F)

    2SK2507(F)

    MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,232
    2SK2507(F)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 25A (Ta) 4V, 10V 46mOhm @ 12A, 10V 2V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
    2SK2544(F)

    2SK2544(F)

    MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,388
    2SK2544(F)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Ta) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 4V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 10 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK2744(F)

    2SK2744(F)

    MOSFET N-CH 50V 45A TO3P

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,246
    2SK2744(F)

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 45A (Ta) 10V 20mOhm @ 25A, 10V 3.5V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 10 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
    2SK2866(F)

    2SK2866(F)

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,064
    2SK2866(F)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 10 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK3342(TE16L1,NQ)

    2SK3342(TE16L1,NQ)

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,582
    2SK3342(TE16L1,NQ)

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.5A (Ta) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
    2SK3388(TE24L,Q)

    2SK3388(TE24L,Q)

    MOSFET N-CH 250V 20A 4TFP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,718
    2SK3388(TE24L,Q)

    Техническая документация

    - SC-97 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 20A (Ta) 10V 105mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 10 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-TFP (9.2x9.2)
    2SK3462(TE16L1,NQ)

    2SK3462(TE16L1,NQ)

    MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,848
    2SK3462(TE16L1,NQ)

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±20V 267 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
    2SK3466(TE24L,Q)

    2SK3466(TE24L,Q)

    MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,083
    2SK3466(TE24L,Q)

    Техническая документация

    - SC-97 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Ta) 10V 1.5Ohm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 17 nC @ 10 V ±30V 780 pF @ 10 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-TFP (9.2x9.2)
    2SK3844(Q)

    2SK3844(Q)

    MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,874
    2SK3844(Q)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 10V 5.8mOhm @ 23A, 10V 4V @ 1mA 196 nC @ 10 V ±20V 12400 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
    2SK3868(Q,M)

    2SK3868(Q,M)

    MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,120
    2SK3868(Q,M)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    2SK3906(Q)

    2SK3906(Q)

    MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,979
    2SK3906(Q)

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 330mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±30V 4250 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.