БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IPI70N10S312AKSA1

      IPI70N10S312AKSA1

      MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 4,638
      Запрос на предложение
      		IPI70N10S312AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ T TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 11.6mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66 nC @ 10 V ±20V 4355 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80N03S4L03AKSA1

      IPI80N03S4L03AKSA1

      MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 4,239
      Запрос на предложение
      		IPI80N03S4L03AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 90µA 140 nC @ 10 V ±16V 9750 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80N04S306AKSA1

      IPI80N04S306AKSA1

      MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,278
      Запрос на предложение
      		IPI80N04S306AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 52µA 47 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80N06S208AKSA1

      IPI80N06S208AKSA1

      MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 3,676
      Запрос на предложение
      		IPI80N06S208AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 2860 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80N06S2L05AKSA1

      IPI80N06S2L05AKSA1

      MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 8,546
      Запрос на предложение
      		IPI80N06S2L05AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 4.8mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI80N06S2L11AKSA1

      IPI80N06S2L11AKSA1

      MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 5,704
      Запрос на предложение
      		IPI80N06S2L11AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 60A, 10V 2V @ 93µA 80 nC @ 10 V ±20V 2075 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI90R1K0C3XKSA1

      IPI90R1K0C3XKSA1

      MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 8,881
      Запрос на предложение
      		IPI90R1K0C3XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5.7A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 3.5V @ 370µA 34 nC @ 10 V ±20V 850 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI90R1K2C3XKSA1

      IPI90R1K2C3XKSA1

      MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 9,293
      Запрос на предложение
      		IPI90R1K2C3XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 310µA 28 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI90R340C3XKSA1

      IPI90R340C3XKSA1

      MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 9,824
      Запрос на предложение
      		IPI90R340C3XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 15A (Tc) 10V 340mOhm @ 9.2A, 10V 3.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI90R500C3XKSA1

      IPI90R500C3XKSA1

      MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 3,242
      Запрос на предложение
      		IPI90R500C3XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 740µA 68 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPI90R800C3XKSA1

      IPI90R800C3XKSA1

      MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 8,739
      Запрос на предложение
      		IPI90R800C3XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.9A (Tc) 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 3.5V @ 460µA 42 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      IPP06CN10LGXKSA1

      IPP06CN10LGXKSA1

      MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 7,969
      Запрос на предложение
      		IPP06CN10LGXKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 100A, 10V 2.4V @ 180µA 124 nC @ 10 V ±20V 11900 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      IPP070N08N3 G

      IPP070N08N3 G

      MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 3,628
      Запрос на предложение
      		IPP070N08N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 3 TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 80A (Tc) 6V, 10V 7mOhm @ 73A, 10V 3.5V @ 73µA 56 nC @ 10 V ±20V 3840 pF @ 40 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      IPP093N06N3GXKSA1

      IPP093N06N3GXKSA1

      MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 8,235
      Запрос на предложение
      		IPP093N06N3GXKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 34µA 36 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 30 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      IPP100N04S204AKSA1

      IPP100N04S204AKSA1

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 4,290
      Запрос на предложение
      		IPP100N04S204AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 172 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
      IPP100N06S2L05AKSA1

      IPP100N06S2L05AKSA1

      MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 2,745
      Запрос на предложение
      		IPP100N06S2L05AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
      IPP139N08N3 G

      IPP139N08N3 G

      MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 6,857
      Запрос на предложение
      		IPP139N08N3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 45A (Tc) 6V, 10V 13.9mOhm @ 45A, 10V 3.5V @ 33µA 25 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 40 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      IPP22N03S4L15AKSA1

      IPP22N03S4L15AKSA1

      MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 8,049
      Запрос на предложение
      		IPP22N03S4L15AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Tc) 4.5V, 10V 14.9mOhm @ 22A, 10V 2.2V @ 10µA 14 nC @ 10 V ±16V 980 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
      IPP230N06L3 G

      IPP230N06L3 G

      MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 9,677
      Запрос на предложение
      		IPP230N06L3 G

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10 nC @ 4.5 V ±20V 1600 pF @ 30 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      IPP260N06N3GXKSA1

      IPP260N06N3GXKSA1

      MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 6,237
      Запрос на предложение
      		IPP260N06N3GXKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 27A (Tc) 10V 26mOhm @ 27A, 10V 4V @ 11µA 15 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 30 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      Total 36322 Record«Prev1... 15901591159215931594159515961597...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]