БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPP45N06S3L-13

    IPP45N06S3L-13

    MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,866
    IPP45N06S3L-13

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 45A (Tc) 5V, 10V 13.4mOhm @ 26A, 10V 2.2V @ 30µA 75 nC @ 10 V ±16V 3600 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP50CN10NGXKSA1

    IPP50CN10NGXKSA1

    MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,016
    IPP50CN10NGXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 10V 50mOhm @ 20A, 10V 4V @ 20µA 16 nC @ 10 V ±20V 1090 pF @ 50 V - 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP77N06S3-09

    IPP77N06S3-09

    MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,484
    IPP77N06S3-09

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 77A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 39A, 10V 4V @ 55µA 103 nC @ 10 V ±20V 5335 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80CN10NGHKSA1

    IPP80CN10NGHKSA1

    MOSFET N-CH 100V 13A TO220-3

    Infineon Technologies

    4,373
    IPP80CN10NGHKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Tc) 10V 80mOhm @ 13A, 10V 4V @ 12µA 11 nC @ 10 V ±20V 716 pF @ 50 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP80N06S3-05

    IPP80N06S3-05

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,413
    IPP80N06S3-05

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 63A, 10V 4V @ 110µA 240 nC @ 10 V ±20V 10760 pF @ 25 V - 165W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S3-07

    IPP80N06S3-07

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    9,947
    IPP80N06S3-07

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 51A, 10V 4V @ 80µA 170 nC @ 10 V ±20V 7768 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S3L-05

    IPP80N06S3L-05

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,497
    IPP80N06S3L-05

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 4.8mOhm @ 69A, 10V 2.2V @ 115µA 273 nC @ 10 V ±16V 13060 pF @ 25 V - 165W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S3L-06

    IPP80N06S3L-06

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,644
    IPP80N06S3L-06

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 5.9mOhm @ 56A, 10V 2.2V @ 80µA 196 nC @ 10 V ±16V 9417 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S3L-08

    IPP80N06S3L-08

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,730
    IPP80N06S3L-08

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 7.9mOhm @ 43A, 10V 2.2V @ 55µA 134 nC @ 10 V ±16V 6475 pF @ 25 V - 105W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPS04N03LA G

    IPS04N03LA G

    MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    9,720
    IPS04N03LA G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 80µA 41 nC @ 5 V ±20V 5199 pF @ 15 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPS06N03LA G

    IPS06N03LA G

    MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    7,409
    IPS06N03LA G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPS09N03LA G

    IPS09N03LA G

    MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    5,884
    IPS09N03LA G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1642 pF @ 15 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPS13N03LA G

    IPS13N03LA G

    MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

    Infineon Technologies

    5,197
    IPS13N03LA G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 12.8mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 nC @ 5 V ±20V 1043 pF @ 15 V - 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPS20N03L G

    IPS20N03L G

    MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

    Infineon Technologies

    6,331
    IPS20N03L G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - - - - - - - - - - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPU06N03LB G

    IPU06N03LB G

    MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    6,064
    IPU06N03LB G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2800 pF @ 15 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    IPU09N03LB G

    IPU09N03LB G

    MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    9,329
    IPU09N03LB G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1600 pF @ 15 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    IPW60R299CPFKSA1

    IPW60R299CPFKSA1

    MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

    Infineon Technologies

    2,453
    IPW60R299CPFKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 440µA 29 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    SIPC69N50C3X1SA2

    SIPC69N50C3X1SA2

    MOSFET COOL MOS SAWED WAFER

    Infineon Technologies

    6,278
    SIPC69N50C3X1SA2

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SN7002N E6327

    SN7002N E6327

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    6,030
    SN7002N E6327

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 45 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
    SN7002N E6433

    SN7002N E6433

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    9,319
    SN7002N E6433

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 45 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.