БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SPB08P06PGATMA1

    SPB08P06PGATMA1

    MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,507
    SPB08P06PGATMA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Ta) 10V 300mOhm @ 6.2A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    SPB80N06S08ATMA1

    SPB80N06S08ATMA1

    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    6,575
    SPB80N06S08ATMA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 7.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 240µA 187 nC @ 10 V ±20V 3660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    SPD02N80C3BTMA1

    SPD02N80C3BTMA1

    MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3

    Infineon Technologies

    7,355
    SPD02N80C3BTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.2A, 10V 3.9V @ 120µA 16 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 100 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    SPD04N80C3BTMA1

    SPD04N80C3BTMA1

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3

    Infineon Technologies

    7,050
    SPD04N80C3BTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2.5A, 10V 3.9V @ 240µA 26 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    SPI07N65C3HKSA1

    SPI07N65C3HKSA1

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3

    Infineon Technologies

    3,186
    SPI07N65C3HKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPI08N50C3XKSA1

    SPI08N50C3XKSA1

    MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3

    Infineon Technologies

    8,779
    SPI08N50C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 7.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 32 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPI08N80C3XKSA1

    SPI08N80C3XKSA1

    MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3

    Infineon Technologies

    8,340
    SPI08N80C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.1A, 10V 3.9V @ 470µA 60 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPI11N65C3XKSA1

    SPI11N65C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3

    Infineon Technologies

    5,362
    SPI11N65C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPI15N60C3HKSA1

    SPI15N60C3HKSA1

    MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3

    Infineon Technologies

    7,789
    SPI15N60C3HKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 9.4A, 10V 3.9V @ 675µA 63 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 25 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPI16N50C3HKSA1

    SPI16N50C3HKSA1

    MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3

    Infineon Technologies

    4,862
    SPI16N50C3HKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 16A (Tc) 10V 280mOhm @ 10A, 10V 3.9V @ 675µA 66 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPI20N60C3XKSA1

    SPI20N60C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3

    Infineon Technologies

    6,941
    SPI20N60C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPI20N65C3XKSA1

    SPI20N65C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3

    Infineon Technologies

    2,119
    SPI20N65C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPP11N65C3XKSA1

    SPP11N65C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,774
    SPP11N65C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPP80N06S2-07

    SPP80N06S2-07

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    2,511
    SPP80N06S2-07

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 6.6mOhm @ 68A, 10V 4V @ 180µA 110 nC @ 10 V ±20V 4540 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPP80N06S2-08

    SPP80N06S2-08

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,236
    SPP80N06S2-08

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPP80N06S2-09

    SPP80N06S2-09

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    2,645
    SPP80N06S2-09

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 125µA 80 nC @ 10 V ±20V 3140 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPU01N60C3BKMA1

    SPU01N60C3BKMA1

    MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

    Infineon Technologies

    5,521
    SPU01N60C3BKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 800mA (Tc) 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 3.9V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 100 pF @ 25 V - 11W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    SPU03N60S5BKMA1

    SPU03N60S5BKMA1

    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

    Infineon Technologies

    9,668
    SPU03N60S5BKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 5.5V @ 135µA 16 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    SPU04N60C3BKMA1

    SPU04N60C3BKMA1

    MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3

    Infineon Technologies

    5,779
    SPU04N60C3BKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    SPW52N50C3FKSA1

    SPW52N50C3FKSA1

    MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3

    Infineon Technologies

    5,890
    SPW52N50C3FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 52A (Tc) 10V 70mOhm @ 30A, 10V 3.9V @ 2.7mA 290 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.