БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    HAF1002-90STL-E

    HAF1002-90STL-E

    MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,114
    HAF1002-90STL-E

    Техническая документация

    - SC-83 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Ta) 4V, 10V 90mOhm @ 7.5A, 10V - - +3V, -16V - - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
    HAT2088R-EL-E

    HAT2088R-EL-E

    MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    6,902
    HAT2088R-EL-E

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2A (Ta) 10V 440mOhm @ 1A, 10V - 13 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HAT2140H-EL-E

    HAT2140H-EL-E

    MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,169
    HAT2140H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Ta) 7V, 10V 16mOhm @ 12.5A, 10V - 105 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2143H-EL-E

    HAT2143H-EL-E

    MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    4,137
    HAT2143H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V - 40 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2164H-EL-E

    HAT2164H-EL-E

    MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    4,178
    HAT2164H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V - 50 nC @ 4.5 V ±20V 7600 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2171H-EL-E

    HAT2171H-EL-E

    MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    6,481
    HAT2171H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta) 7V, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V - 52 nC @ 10 V ±20V 3750 pF @ 10 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2174H-EL-E

    HAT2174H-EL-E

    MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    9,871
    HAT2174H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 8V, 10V 27mOhm @ 10A, 10V - 33.5 nC @ 10 V ±20V 2280 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2267H-EL-E

    HAT2267H-EL-E

    MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    3,912
    HAT2267H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 25A (Ta) 6V, 10V 16mOhm @ 12.5A, 10V - 30 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 10 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    FDA75N28

    FDA75N28

    MOSFET N-CH 280V 75A TO3PN

    onsemi

    3,950
    FDA75N28

    Техническая документация

    UniFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 280 V 75A (Tc) 10V 41mOhm @ 37.5A, 10V 5V @ 250µA 144 nC @ 10 V ±30V 6700 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
    FDAF59N30

    FDAF59N30

    MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF

    onsemi

    6,012
    FDAF59N30

    Техническая документация

    UniFET™ TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 34A (Tc) 10V 56mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±30V 4670 pF @ 25 V - 161W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    FDD6N50TF

    FDD6N50TF

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

    onsemi

    8,211
    FDD6N50TF

    Техническая документация

    UniFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 16.6 nC @ 10 V ±30V 940 pF @ 25 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    FDFS2P753Z

    FDFS2P753Z

    MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC

    onsemi

    5,020
    FDFS2P753Z

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 115mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V ±25V 455 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FQB25N33TM

    FQB25N33TM

    MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

    onsemi

    6,469
    FQB25N33TM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 330 V 25A (Tc) 10V 230mOhm @ 12.5A, 10V 5V @ 250µA 75 nC @ 15 V ±30V 2010 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FQB7N65CTM

    FQB7N65CTM

    MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

    onsemi

    7,285
    FQB7N65CTM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1245 pF @ 25 V - 173W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FQN1N50CBU

    FQN1N50CBU

    MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3

    onsemi

    7,018
    FQN1N50CBU

    Техническая документация

    QFET® TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 380mA (Tc) 10V 6Ohm @ 190mA, 10V 4V @ 250µA 6.4 nC @ 10 V ±30V 195 pF @ 25 V - 890mW (Ta), 2.08W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
    SPA03N60C3XKSA1

    SPA03N60C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-FP

    Infineon Technologies

    3,235
    SPA03N60C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 29.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    SPA06N60C3XKSA1

    SPA06N60C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP

    Infineon Technologies

    9,121
    SPA06N60C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 3.9A, 10V 3.9V @ 260µA 31 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    SPA07N65C3XKSA1

    SPA07N65C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP

    Infineon Technologies

    9,899
    SPA07N65C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    IRF1324S-7PPBF

    IRF1324S-7PPBF

    MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,136
    IRF1324S-7PPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 252 nC @ 10 V ±20V 7700 pF @ 19 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    STB25NM50N-1

    STB25NM50N-1

    MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK

    STMicroelectronics

    4,982
    STB25NM50N-1

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±25V 2565 pF @ 25 V - 160W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.