БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF6622TR1PBF

    IRF6622TR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    2,503
    IRF6622TR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15A (Ta), 59A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 15A, 10V 2.35V @ 25µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1450 pF @ 13 V - 2.2W (Ta), 34W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
    IRF6641TR1PBF

    IRF6641TR1PBF

    MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    3,568
    IRF6641TR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MZ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 10V 59.9mOhm @ 5.5A, 10V 4.9V @ 150µA 48 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MZ
    IRFI4228PBF

    IRFI4228PBF

    MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    8,332
    IRFI4228PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 34A (Tc) 10V 16mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4560 pF @ 25 V - 46W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRFSL4321PBF

    IRFSL4321PBF

    MOSFET N-CH 150V 85A TO262

    Infineon Technologies

    4,958
    IRFSL4321PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 85A (Tc) 10V 15mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4460 pF @ 25 V - 350W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFS4321PBF

    IRFS4321PBF

    MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,795
    IRFS4321PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 85A (Tc) 10V 15mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4460 pF @ 25 V - 350W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFS3206PBF

    IRFS3206PBF

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,101
    IRFS3206PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFS3207ZPBF

    IRFS3207ZPBF

    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,119
    IRFS3207ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6920 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFS3306PBF

    IRFS3306PBF

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,292
    IRFS3306PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4520 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFS3307ZPBF

    IRFS3307ZPBF

    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,106
    IRFS3307ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    BSN20,235

    BSN20,235

    MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB

    Nexperia USA Inc.

    3,655
    BSN20,235

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 173mA (Ta) 5V, 10V 15Ohm @ 100mA, 10V 1V @ 1mA - ±20V 25 pF @ 10 V - 830mW (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
    PH2525L,115

    PH2525L,115

    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,958
    PH2525L,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 34.7 nC @ 4.5 V ±20V 4470 pF @ 12 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    PH5525L,115

    PH5525L,115

    MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56

    NXP USA Inc.

    9,825
    PH5525L,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 81.7A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 16.6 nC @ 4.5 V ±20V 2150 pF @ 12 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    PML340SN,118

    PML340SN,118

    MOSFET N-CH 220V 7.3A DFN3333-8

    Nexperia USA Inc.

    6,251
    PML340SN,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220 V 7.3A (Tc) 6V, 10V 386mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 1mA 13.2 nC @ 10 V ±20V 656 pF @ 30 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN3333-8
    PMN23UN,165

    PMN23UN,165

    MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

    NXP USA Inc.

    7,780
    PMN23UN,165

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.3A (Tc) 1.8V, 4.5V 28mOhm @ 2A, 4.5V 700mV @ 1mA (Typ) 10.6 nC @ 4.5 V ±8V 740 pF @ 10 V - 1.75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-74
    IRF6622TRPBF

    IRF6622TRPBF

    MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    2,148
    IRF6622TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15A (Ta), 59A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 15A, 10V 2.35V @ 25µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1450 pF @ 13 V - 2.2W (Ta), 34W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
    IRF6641TRPBF

    IRF6641TRPBF

    MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    9,401
    IRF6641TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MZ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 10V 59.9mOhm @ 5.5A, 10V 4.9V @ 150µA 48 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MZ
    FDD8780

    FDD8780

    MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA

    onsemi

    6,560
    FDD8780

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1440 pF @ 13 V - 50W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    FQP6N90C

    FQP6N90C

    MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3

    onsemi

    2,598
    FQP6N90C

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 2.3Ohm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1770 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP65NF06

    STP65NF06

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

    STMicroelectronics

    7,309
    STP65NF06

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 10V 14mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRFS38N20DPBF

    IRFS38N20DPBF

    MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,754
    IRFS38N20DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 43A (Tc) 10V 54mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.