БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MSCSM70TAM19CT3AG

    MSCSM70TAM19CT3AG

    MOSFET 6N-CH 700V 124A SP3F

    Microchip Technology

    4,662
    MSCSM70TAM19CT3AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM70DUM017AG

    MSCSM70DUM017AG

    MOSFET 2N-CH 700V 1021A

    Microchip Technology

    5,247
    MSCSM70DUM017AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 700V 1021A (Tc) 2.1mOhm @ 360A, 20V 2.4V @ 36mA 1935nC @ 20V 40500pF @ 700V 2750W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    BSM600D12P4G103

    BSM600D12P4G103

    MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE

    Rohm Semiconductor

    2,691
    BSM600D12P4G103

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 567A (Tc) - 4.8V @ 291.2mA - 59000pF @ 10V 1.78kW (Tc) 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    MSCSM170AM058CT6LIAG

    MSCSM170AM058CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1700V 353A

    Microchip Technology

    3,712
    MSCSM170AM058CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 353A (Tc) 7.5mOhm @ 180A, 20V 3.3V @ 15mA 1068nC @ 20V 19800pF @ 1000V 1.642kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CAB650M17HM3

    CAB650M17HM3

    MOSFET 2N-CH 1700V 916A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    3,081
    CAB650M17HM3

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1700V (1.7kV) 916A (Tc) 1.86mOhm @ 650A, 15V 3.6V @ 305mA 2988nC @ 15V 97300pF @ 1200V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    FF2600UXTR33T2M1BPSA1

    FF2600UXTR33T2M1BPSA1

    MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33

    Infineon Technologies

    8,488
    FF2600UXTR33T2M1BPSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 3300V (3.3kV) 720A (Tc) 3.1mOhm @ 750A, 15V 5.55V @ 675mA 3750nC @ 15V 152000pF @ 1.8kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-XHP2K33
    SSM6N68NU,LF

    SSM6N68NU,LF

    MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,796
    SSM6N68NU,LF

    Техническая документация

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.8V Drive 30V 4A (Ta) 84mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 1.8nC @ 4.5V 129pF @ 15V 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount 6-µDFN (2x2)
    DMN2016LFG-7

    DMN2016LFG-7

    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN

    Diodes Incorporated

    5,306
    DMN2016LFG-7

    Техническая документация

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 20V 5.2A 18mOhm @ 6A, 4.5V 1.1V @ 250µA 16nC @ 4.5V 1472pF @ 10V 770mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-DFN3030-8
    ZXMN3A06DN8TA

    ZXMN3A06DN8TA

    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO

    Diodes Incorporated

    3,781
    ZXMN3A06DN8TA

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.9A 35mOhm @ 9A, 10V 1V @ 250µA (Min) 17.5nC @ 10V 796pF @ 25V 1.8W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BUK9V13-40HX

    BUK9V13-40HX

    MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

    Nexperia USA Inc.

    4,523
    BUK9V13-40HX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 40V 42A (Ta) 13.6mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 1mA 19.4nC @ 10V 1160pF @ 25V 46W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56D
    STS1DNC45

    STS1DNC45

    MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC

    STMicroelectronics

    7,067
    STS1DNC45

    Техническая документация

    SuperMESH™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 450V 400mA 4.5Ohm @ 500mA, 10V 3.7V @ 250µA 10nC @ 10V 160pF @ 25V 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD110900SAL

    ALD110900SAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    9,418
    ALD110900SAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 4V 20mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD1116PAL

    ALD1116PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    7,888
    ALD1116PAL

    Техническая документация

    - 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD1117PAL

    ALD1117PAL

    MOSFET 2P-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    9,185
    ALD1117PAL

    Техническая документация

    - 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 1800Ohm @ 5V 1.2V @ 1µA - 3pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD1102SAL

    ALD1102SAL

    MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    1,691
    ALD1102SAL

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 270Ohm @ 5V 1.2V @ 10µA - 10pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD210800SCL

    ALD210800SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    1,038
    ALD210800SCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA 25Ohm 20mV @ 10µA - 15pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD1102PAL

    ALD1102PAL

    MOSFET 2P-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    4,820
    ALD1102PAL

    Техническая документация

    - 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 270Ohm @ 5V 1.2V @ 10µA - 10pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD110800ASCL

    ALD110800ASCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    4,123
    ALD110800ASCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 4V 10mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD1101ASAL

    ALD1101ASAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    4,264
    ALD1101ASAL

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 75Ohm @ 5V 1V @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD110800APCL

    ALD110800APCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    1,174
    ALD110800APCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 4V 10mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 16-PDIP
    Total 5737 Record«Prev1... 142143144145146147148149...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.