БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPG20N04S412ATMA1

    IPG20N04S412ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    8,074
    IPG20N04S412ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A 12.2mOhm @ 17A, 10V 4V @ 15µA 18nC @ 10V 1470pF @ 25V 41W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N04S4L11AATMA1

    IPG20N04S4L11AATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    8,629
    IPG20N04S4L11AATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 20A 11.6mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 15µA 26nC @ 10V 1990pF @ 25V 41W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IAUC45N04S6L063HATMA1

    IAUC45N04S6L063HATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON

    Infineon Technologies

    8,925
    IAUC45N04S6L063HATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 40V 45A (Tj) 6.3mOhm @ 22A, 10V 2V @ 9µA 13nC @ 10V 775pF @ 25V 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-57
    SIR770DP-T1-GE3

    SIR770DP-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    8,738
    SIR770DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 21mOhm @ 8A, 10V 2.8V @ 250µA 21nC @ 10V 900pF @ 15V 17.8W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    SQJ844AEP-T1_BE3

    SQJ844AEP-T1_BE3

    MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    6,915
    SQJ844AEP-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 8A (Tc) 16.6mOhm @ 7.6A, 10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V 1161pF @ 15V 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    TQM300NB06DCR RLG

    TQM300NB06DCR RLG

    MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFNU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    6,360
    TQM300NB06DCR RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 6A (Ta), 25A (Tc) 30mOhm @ 6A, 10V 3.8V @ 250µA 20nC @ 10V 1020pF @ 30V 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
    SIZ240DT-T1-GE3

    SIZ240DT-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

    Vishay Siliconix

    9,056
    SIZ240DT-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc) 8.05mOhm @ 10A, 10V, 8.41mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 23nC @ 10V, 22nC @ 10V 1180pF @ 20V, 1070pF @ 20V 4.3W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
    SQJ208EP-T1_GE3

    SQJ208EP-T1_GE3

    MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    8,201
    SQJ208EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 33nC @ 10V, 75nC @ 10V 1700pF @ 25V, 3900pF @ 25V 27W (Tc), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
    NVMJD025N04CTWG

    NVMJD025N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V LFPAK56

    onsemi

    3,840
    NVMJD025N04CTWG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    DMN3012LEG-7

    DMN3012LEG-7

    MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333

    Diodes Incorporated

    8,594
    DMN3012LEG-7

    Техническая документация

    - 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 10A (Ta), 20A (Tc) 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V 2.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)
    SISF02DN-T1-GE3

    SISF02DN-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK

    Vishay Siliconix

    4,063
    SISF02DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8SCD Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 25V 30.5A (Ta), 60A (Tc) 3.5mOhm @ 7A, 10V 2.3V @ 250µA 56nC @ 10V 2650pF @ 10V 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
    BUK7K17-80EX

    BUK7K17-80EX

    MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D

    Nexperia USA Inc.

    5,450
    BUK7K17-80EX

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 80V 21A (Ta) - 4V @ 1mA - - 64W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56D
    SIZF360DT-T1-GE3

    SIZF360DT-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 30V 23A 6POWERPAIR

    Vishay Siliconix

    7,470
    SIZF360DT-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV 6-PowerPair™ Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual), Schottky - 30V 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 22nC @ 10V, 62nC @ 10V 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-PowerPair™
    NVMJD027N06CLTWG

    NVMJD027N06CLTWG

    MOSFET 2N-CH 60V 7.7A 8LFPAK

    onsemi

    2,999
    NVMJD027N06CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 60V 7.7A (Ta), 21A (Tc) 27mOhm @ 9A, 10V 2.2V @ 13µA 5nC @ 10V 335pF @ 30V 3.2W (Ta), 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    SIZF906ADT-T1-GE3

    SIZF906ADT-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR

    Vishay Siliconix

    6,585
    SIZF906ADT-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual), Schottky - 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 49nC @ 10V, 200nC @ 10V 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
    IPG20N04S4L07AATMA1

    IPG20N04S4L07AATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    5,928
    IPG20N04S4L07AATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 20A 7.2mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 30µA 50nC @ 10V 3980pF @ 25V 65W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    SISF20DN-T1-GE3

    SISF20DN-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212

    Vishay Siliconix

    7,886
    SISF20DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8SCD Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 13mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 1290pF @ 30V 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
    SI7949DP-T1-GE3

    SI7949DP-T1-GE3

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    3,646
    SI7949DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 3.2A 64mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V - 1.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    NVMJD015N06CLTWG

    NVMJD015N06CLTWG

    MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK

    onsemi

    8,574
    NVMJD015N06CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 60V 10.1A (Ta), 35A (Tc) 14.4mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 25µA 9.4nC @ 10V 643pF @ 30V 3.1W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    NVMJD7D4N04CLTWG

    NVMJD7D4N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V LFPAK56

    onsemi

    5,933
    NVMJD7D4N04CLTWG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 5737 Record«Prev1... 144145146147148149150151...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.