БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMJD012N06CLTWG

    NVMJD012N06CLTWG

    MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK

    onsemi

    9,941
    NVMJD012N06CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 11.5A (Ta), 42A (Tc) 11.9mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 30µA 11.5nC @ 10V 792pF @ 25V 3.2W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    NVMFD5C470NT1G

    NVMFD5C470NT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 11.7A 8DFN

    onsemi

    5,906
    NVMFD5C470NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 11.7A (Ta), 36A (Tc) 11.7mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 8nC @ 10V 420pF @ 25V 3.1W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NVMJD5D4N04CTWG

    NVMJD5D4N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V LFPAK56

    onsemi

    5,708
    NVMJD5D4N04CTWG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SP8J5FRATB

    SP8J5FRATB

    MOSFET 2P-CH 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    8,823
    SP8J5FRATB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4V Drive - 7A (Ta) 28mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA - - - 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    HP8M31TB1

    HP8M31TB1

    MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,389
    HP8M31TB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 8.5A (Ta) 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V 3V @ 1mA 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    NVMFD5C462NLT1G

    NVMFD5C462NLT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN

    onsemi

    8,993
    NVMFD5C462NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 18A (Ta), 84A (Tc) 4.7mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 40µA 11nC @ 4.5V 1300pF @ 25V 3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    SLA5073

    SLA5073

    MOSFET 6N-CH 60V 5A 15ZIP

    Sanken Electric USA Inc.

    8,497
    SLA5073

    Техническая документация

    - 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Logic Level Gate 60V 5A 300mOhm @ 3A, 4V 2V @ 250µA - 320pF @ 10V 5W 150°C (TJ) - - Through Hole 15-ZIP
    CSD86356Q5DT

    CSD86356Q5DT

    MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP

    Texas Instruments

    5,505
    CSD86356Q5DT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate, 5V Drive 25V 40A (Ta) 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V 12W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    ALD110908ASAL

    ALD110908ASAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    8,037
    ALD110908ASAL

    Техническая документация

    EPAD® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 4.8V 810mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD110900ASAL

    ALD110900ASAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    5,668
    ALD110900ASAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 4V 10mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD1101SAL

    ALD1101SAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    2,230
    ALD1101SAL

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 75Ohm @ 5V 1V @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD114835SCL

    ALD114835SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    8,147
    ALD114835SCL

    Техническая документация

    EPAD® 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Depletion Mode 10.6V 12mA, 3mA 540Ohm @ 0V 3.45V @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    SQUN702E-T1_GE3

    SQUN702E-T1_GE3

    MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE

    Vishay Siliconix

    8,047
    SQUN702E-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Die Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel, Common Drain - 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V 1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V 48W (Tc), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank Die
    ALD212900APAL

    ALD212900APAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    5,792
    ALD212900APAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA 14Ohm 10mV @ 20µA - 30pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD1102ASAL

    ALD1102ASAL

    MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    2,822
    ALD1102ASAL

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 270Ohm @ 5V 1.2V @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD110814SCL

    ALD110814SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    2,282
    ALD110814SCL

    Техническая документация

    EPAD® 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair - 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 5.4V 1.42V @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD110900PAL

    ALD110900PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    2,732
    ALD110900PAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 4V 20mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD210800ASCL

    ALD210800ASCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    3,194
    ALD210800ASCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA 25Ohm 10mV @ 10µA - 15pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    MSCSM120AM31T1AG

    MSCSM120AM31T1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 89A

    Microchip Technology

    5,778
    MSCSM120AM31T1AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM70VR1M19C1AG

    MSCSM70VR1M19C1AG

    MOSFET 2N-CH 700V 124A

    Microchip Technology

    9,305
    MSCSM70VR1M19C1AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    Total 5737 Record«Prev1... 145146147148149150151152...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.