БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FMM150-0075X2F

    FMM150-0075X2F

    MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC

    IXYS

    7,765
    FMM150-0075X2F

    Техническая документация

    HiPerFET™, TrenchT2™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 75V 120A 5.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 178nC @ 10V 10500pF @ 25V 170W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    MSCSM120AM50CT1AG

    MSCSM120AM50CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1F

    Microchip Technology

    8,032
    MSCSM120AM50CT1AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 50mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 1mA 137nC @ 20V 1990pF @ 1000V 245W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP1F
    MSCSM70AM10CT3AG

    MSCSM70AM10CT3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 241A SP3F

    Microchip Technology

    6,864
    MSCSM70AM10CT3AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 241A (Tc) 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.4V @ 8mA 430nC @ 20V 9000pF @ 700V 690W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170AM23CT1AG

    MSCSM170AM23CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 124A

    Microchip Technology

    8,228
    MSCSM170AM23CT1AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 124A (Tc) 22.5mOhm @ 60A, 20V 3.2V @ 5mA 356nC @ 20V 6600pF @ 1000V 602W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170AM11CT3AG

    MSCSM170AM11CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 240A

    Microchip Technology

    2,547
    MSCSM170AM11CT3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 240A (Tc) 11.3mOhm @ 120A, 20V 3.2V @ 10mA 712nC @ 20V 13200pF @ 1000V 1.14kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170DUM058AG

    MSCSM170DUM058AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 353A

    Microchip Technology

    4,419
    MSCSM170DUM058AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1700V (1.7kV) 353A (Tc) 7.5mOhm @ 180A, 20V 3.3V @ 15mA 1068nC @ 20V 19800pF @ 1000V 1642W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170DUM039AG

    MSCSM170DUM039AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 523A

    Microchip Technology

    2,053
    MSCSM170DUM039AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1700V (1.7kV) 523A (Tc) 5mOhm @ 270A, 20V 3.3V @ 22.5mA 1602nC @ 20V 29700pF @ 1000V 2400W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CAS300M12BM2

    CAS300M12BM2

    MOSFET 2N-CH 1200V 423A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    3,853
    CAS300M12BM2

    Техническая документация

    Z-FET™ Module, Screw Terminals Bulk Not For New Designs Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 423A (Tc) 5.7mOhm @ 300A, 20V 2.3V @ 15mA (Typ) 1025nC @ 20V 19500pF @ 800V 1660W 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    MSCSM120DUM027AG

    MSCSM120DUM027AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 733A

    Microchip Technology

    1,008
    MSCSM120DUM027AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 733A (Tc) 3.5mOhm @ 360A, 20V 2.8V @ 9mA 2088nC @ 20V 27000pF @ 1000V 2968W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM02CT6LIAG

    MSCSM120AM02CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1200V 947A SP6C LI

    Microchip Technology

    4,483
    MSCSM120AM02CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 947A (Tc) 2.6mOhm @ 480A, 20V 2.8V @ 12mA 2784nC @ 20V 36240pF @ 1000V 3.75kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    CAB760M12HM3R

    CAB760M12HM3R

    MOSFET 2N-CH 1200V 1.015KA MODUL

    Wolfspeed, Inc.

    8,623
    CAB760M12HM3R

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 1.015kA (Tc) 1.73mOhm @ 760A, 15V 3.6V @ 280mA 2724nC @ 15V 79400pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    SSM6N35FE,LM

    SSM6N35FE,LM

    MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,959
    SSM6N35FE,LM

    Техническая документация

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 180mA 3Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - 9.5pF @ 3V 150mW 150°C (TJ) - - Surface Mount ES6
    PJT7812_R1_00001

    PJT7812_R1_00001

    MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363

    Panjit International Inc.

    2,924
    PJT7812_R1_00001

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 500mA (Ta) 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 250µA 0.87nC @ 4.5V 34pF @ 15V 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    PJX8812_R1_00001

    PJX8812_R1_00001

    MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563

    Panjit International Inc.

    3,742
    PJX8812_R1_00001

    Техническая документация

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 350mA (Ta) 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V 1.1V @ 250µA 0.87nC @ 4.5V 34pF @ 15V 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563
    SSM6N62TU,LXHF

    SSM6N62TU,LXHF

    MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,941
    SSM6N62TU,LXHF

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.2V Drive 20V 800mA (Ta) 85mOhm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 177pF @ 10V 500mW (Ta) 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount UF6
    US6M2GTR

    US6M2GTR

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    2,477
    US6M2GTR

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V, 20V 1.5A, 1A 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V 80pF @ 10V, 150pF @ 10V 1W 150°C - - Surface Mount TUMT6
    AOD609G

    AOD609G

    MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,564
    AOD609G

    Техническая документация

    - TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary - 40V 12A (Tc) 30mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 10V, 21nC @ 10V 545pF @ 20V, 890pF @ 20V 2W (Ta), 27W (Tc), 2W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-4L
    SSM6N951L,EFF

    SSM6N951L,EFF

    MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,387
    SSM6N951L,EFF

    Техническая документация

    - 6-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 12V 8A 5.1mOhm @ 8A, 4.5V - - - - - - - Surface Mount 6-TCSPA (2.14x1.67)
    ZXMN2AMCTA

    ZXMN2AMCTA

    MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN

    Diodes Incorporated

    4,561
    ZXMN2AMCTA

    Техническая документация

    - 8-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 3.7A (Ta) 120mOhm @ 4A, 4.5V 3V @ 250µA 3.1nC @ 4.5V 299pF @ 15V 1.7W -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN3020B-8
    SIZ200DT-T1-GE3

    SIZ200DT-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR

    Vishay Siliconix

    7,247
    SIZ200DT-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 28nC @ 10V, 30nC @ 10V 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V 4.3W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
    Total 5737 Record«Prev1... 143144145146147148149150...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.