БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    HAS350M12BM3

    HAS350M12BM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 350A

    Wolfspeed, Inc.

    3,428
    HAS350M12BM3

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 350A - - - - - - - - Chassis Mount -
    HAS530M12BM3

    HAS530M12BM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 530A

    Wolfspeed, Inc.

    4,493
    HAS530M12BM3

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 530A - - - - - - - - Chassis Mount -
    WAS310M17BM3

    WAS310M17BM3

    SIC 1700V 310A

    Wolfspeed, Inc.

    4,750
    WAS310M17BM3

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 310A - - - - - - - - Chassis Mount -
    HAS310M17BM3

    HAS310M17BM3

    MOSFET 2N-CH 1700V 399A

    Wolfspeed, Inc.

    3,182
    HAS310M17BM3

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1700V 399A (Tc) 5.8mOhm @ 310A, 15V 3.6V @ 102mA 996nC @ 15V 31500pF @ 1000V 1.63kW (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    ADP280120W3

    ADP280120W3

    MOSFET 6N-CH 1200V 275A ACEPACK

    STMicroelectronics

    2,660
    ADP280120W3

    Техническая документация

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 275A (Tj) 5.05mOhm @ 280A, 18V 4.4V @ 30mA 629nC @ 18V 18710pF @ 800V 549W -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    CAB320M17XM3

    CAB320M17XM3

    SIC 1700V 320A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    3,424
    CAB320M17XM3

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 320A (Tc) - - - - - - - - Chassis Mount -
    ADP480120W3

    ADP480120W3

    MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

    STMicroelectronics

    3,168
    ADP480120W3

    Техническая документация

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    ADP480120W3-L

    ADP480120W3-L

    MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

    STMicroelectronics

    1,285
    ADP480120W3-L

    Техническая документация

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    NVXR22S90M2SPB

    NVXR22S90M2SPB

    MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39

    onsemi

    4,718
    NVXR22S90M2SPB

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 510A (Tj) 2.7mOhm @ 510A, 18V 4.3V @ 150mA 1800nC @ 18V 35000pF @ 400V 900W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    NVXR22S90M2SPC

    NVXR22S90M2SPC

    MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39

    onsemi

    1,433
    NVXR22S90M2SPC

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 510A (Tj) 2.7mOhm @ 510A, 18V 4.3V @ 150mA 1800nC @ 18V 35000pF @ 400V 900W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    NVXR17S90M2SPB

    NVXR17S90M2SPB

    MOSFET 6N-CH 900V 620A SSDC39

    onsemi

    2,675
    NVXR17S90M2SPB

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 620A (Tj) 2.1mOhm @ 620A, 18V 4.3V @ 200mA 2400nC @ 18V 45000pF @ 400V 1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    NVXR17S90M2SPC

    NVXR17S90M2SPC

    MOSFET 6N-CH 900V 620A SSDC39

    onsemi

    4,619
    NVXR17S90M2SPC

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 620A (Tj) 2.1mOhm @ 620A, 18V 4.3V @ 200mA 2400nC @ 18V 45000pF @ 400V 1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    IRFR21496

    IRFR21496

    MOSFET N-CH 250V 2.2A

    Harris Corporation

    993
    IRFR21496

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RFD14N05S2515

    RFD14N05S2515

    MOSFET N-CH 50V 14A

    Harris Corporation

    900
    RFD14N05S2515

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SI4920DY

    SI4920DY

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    970
    SI4920DY

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A (Ta) 28mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 5V 830pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    PJT7872B_R1_00001

    PJT7872B_R1_00001

    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

    Panjit International Inc.

    922
    PJT7872B_R1_00001

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 250mA (Ta) 3Ohm @ 600mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.82nC @ 4.5V 34pF @ 25V 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    NTZD3154NT5G

    NTZD3154NT5G

    MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563

    onsemi

    314
    NTZD3154NT5G

    Техническая документация

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 540mA 550mOhm @ 540mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 150pF @ 16V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563
    IPB13N03LBG

    IPB13N03LBG

    MOSFET N-CH

    Infineon Technologies

    999
    IPB13N03LBG

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFU220S2497

    IRFU220S2497

    MOSFET N-CH

    Harris Corporation

    900
    IRFU220S2497

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SFT1405-TL-E

    SFT1405-TL-E

    MOSFET N-CH

    onsemi

    700
    SFT1405-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 5737 Record«Prev1... 138139140141142143144145...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.