БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NXH007F120M3F2PTHG

    NXH007F120M3F2PTHG

    MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM

    onsemi

    1,960
    NXH007F120M3F2PTHG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 149A (Tc) 10mOhm @ 120A, 18V 4.4V @ 60mA 407nC @ 18V 9090pF @ 800V 353W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 34-PIM (56.7x42.5)
    MSCSM170HRM451AG

    MSCSM170HRM451AG

    MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 64A

    Microchip Technology

    4,164
    MSCSM170HRM451AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 64A (Tc), 89A (Tc) 45mOhm @ 30A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V 3.2V @ 2.5mA, 2.8V @ 3mA 178nC @ 20V, 232nC @ 20V 3300pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V 319W (Tc), 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH008T120M3F2PTHG

    NXH008T120M3F2PTHG

    MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM

    onsemi

    3,907
    NXH008T120M3F2PTHG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 129A (Tc) 11.5mOhm @ 100A, 18V 4.4V @ 60mA 454nC @ 20V 9129pF @ 800V 371W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 29-PIM (56.7x42.5)
    MSCSM120HRM311AG

    MSCSM120HRM311AG

    MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A

    Microchip Technology

    4,575
    MSCSM120HRM311AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV), 700V 89A (Tc), 124A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA 232nC @ 20V, 215nC @ 20V 3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V 395W (Tc), 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

    FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE

    Infineon Technologies

    1,639
    FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

    Техническая документация

    HEXFET® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 5.63mOhm @ 200A, 15V 5.55V @ 80mA 496nC @ 15V 14700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    FF6MR12W2M1HB11BPSA1

    FF6MR12W2M1HB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE

    Infineon Technologies

    3,474
    FF6MR12W2M1HB11BPSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 145A (Tj) 5.4mOhm @ 150A, 18V 5.15V @ 60mA 446nC @ 18V 13200pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    GCMX005A120B3B1P

    GCMX005A120B3B1P

    MOSFET 4N-CH 1200V 383A

    SemiQ

    1,194
    GCMX005A120B3B1P

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 383A (Tc) 7mOhm @ 200A, 20V 4V @ 80mA 927nC @ 20V 23500pF @ 800V 1.154kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH004P120M3F2PNG

    NXH004P120M3F2PNG

    MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM

    onsemi

    3,546
    NXH004P120M3F2PNG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 338A (Tc) 5.5mOhm @ 200A, 18V 4.4V @ 120mA 876nC @ 20V 16410pF @ 800V 1.098W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
    GCMX005A120S7B1

    GCMX005A120S7B1

    MOSFET 2N-CH 1200V 348A

    SemiQ

    1,334
    GCMX005A120S7B1

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 348A (Tc) 7mOhm @ 200A, 20V 4V @ 80mA 978nC @ 20V 29300pF @ 800V 1.042kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

    FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    3,456
    FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

    Техническая документация

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CHB011M12GM4

    CHB011M12GM4

    SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

    Wolfspeed, Inc.

    1,856
    CHB011M12GM4

    Техническая документация

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CBB011M12GM4

    CBB011M12GM4

    SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

    Wolfspeed, Inc.

    2,367
    CBB011M12GM4

    Техническая документация

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CBB011M12GM4T

    CBB011M12GM4T

    SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

    Wolfspeed, Inc.

    3,210
    CBB011M12GM4T

    Техническая документация

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CHB011M12GM4T

    CHB011M12GM4T

    SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

    Wolfspeed, Inc.

    1,884
    CHB011M12GM4T

    Техническая документация

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CAB011A12GM3T

    CAB011A12GM3T

    MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    1,345
    CAB011A12GM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 141A (Tj) 13.9mOhm @ 150A, 15V 3.9V @ 34mA 354nC @ 15V 11000pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

    FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B

    Infineon Technologies

    1,218
    FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 170A 4mOhm @ 200A, 18V 5.15V @ 80mA 594nC @ 18V 17600pF @ 800V 20mW -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY2B
    F411MR12W2M1HPB76BPSA1

    F411MR12W2M1HPB76BPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    2,279
    F411MR12W2M1HPB76BPSA1

    Техническая документация

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF6MR12KM1HPHPSA1

    FF6MR12KM1HPHPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    1,384
    FF6MR12KM1HPHPSA1

    Техническая документация

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CAB004M12GM4

    CAB004M12GM4

    SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G

    Wolfspeed, Inc.

    1,913
    CAB004M12GM4

    Техническая документация

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CAB004M12GM4T

    CAB004M12GM4T

    SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G

    Wolfspeed, Inc.

    2,999
    CAB004M12GM4T

    Техническая документация

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 5737 Record«Prev1... 136137138139140141142143...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.