БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MSCSM170HRM233AG

    MSCSM170HRM233AG

    MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 124A

    Microchip Technology

    4,194
    MSCSM170HRM233AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 124A (Tc), 89A (Tc) 22.5mOhm @ 60A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V 3.2V @ 5mA, 2.8V @ 3mA 356nC @ 20V, 232nC @ 20V 6600pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V 602W (Tc), 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    Infineon Technologies

    3,274
    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    Техническая документация

    EasyPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2000V (2kV) 160A (Tj) 8.1mOhm @ 160A, 18V 5.15V @ 112mA 780nC @ 3V 24100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    Infineon Technologies

    1,064
    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    Техническая документация

    EasyPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 2000V (2kV) 155A (Tj) 8.7mOhm @ 100A, 18V 5.15V @ 112mA 297nC @ 18V 24100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120HRM163AG

    MSCSM120HRM163AG

    MOSFET 4N-CH 1200V/700V 173A

    Microchip Technology

    3,821
    MSCSM120HRM163AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV), 700V 173A (Tc), 124A (Tc) 16mOhm @ 80A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 6mA, 2.4V @ 4mA 464nC, 215nC @ 20V 6040pF @ 1000V, 4500pF @ 700V 745W (Tc), 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CAB6R0A23GM4

    CAB6R0A23GM4

    MOSFET 2N-CH 2300V 150A

    Wolfspeed, Inc.

    2,116
    CAB6R0A23GM4

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2300V (2.3kV) 150A 8.4mOhm @ 200A, 15V 4V @ 95mA 735nC @ 15V 30500pF @ 1.5kV 610W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FF3MR12KM1HHPSA1

    FF3MR12KM1HHPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB

    Infineon Technologies

    3,528
    FF3MR12KM1HHPSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 190A (Tc) 4.44mOhm @ 280A, 18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V 24200pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    FF3MR12KM1HPHPSA1

    FF3MR12KM1HPHPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 220A AG62MMHB

    Infineon Technologies

    4,318
    FF3MR12KM1HPHPSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 220A 4.44mOhm @ 280A, 18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V 24200pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    APTM100A13SCG

    APTM100A13SCG

    MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

    Microchip Technology

    1,303
    APTM100A13SCG

    Техническая документация

    - SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1000V (1kV) 65A 156mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 6mA 562nC @ 10V 15200pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    FF5MR20KM1HHPSA1

    FF5MR20KM1HHPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    3,972
    FF5MR20KM1HHPSA1

    Техническая документация

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF4MR20KM1HPHPSA1

    FF4MR20KM1HPHPSA1

    MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB

    Infineon Technologies

    1,522
    FF4MR20KM1HPHPSA1

    Техническая документация

    C, CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 2000V (2kV) 280A (Tc) 5.3mOhm @ 300A, 18V 5.15V @ 168mA 1170nC @ 18V 36100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C - - Chassis Mount AG-62MMHB
    BSM450D12P4G102

    BSM450D12P4G102

    MOSFET 2N-CH 1200V 447A MODULE

    Rohm Semiconductor

    3,313
    BSM450D12P4G102

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 447A (Tc) - 4.8V @ 218.4mA - 44000pF @ 10V 1.45kW (Tc) 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    HAS175M12BM3

    HAS175M12BM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 175A

    Wolfspeed, Inc.

    1,216
    HAS175M12BM3

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 175A - - - - - - - - Chassis Mount -
    FF1MR12KM1HHPSA1

    FF1MR12KM1HHPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    4,991
    FF1MR12KM1HHPSA1

    Техническая документация

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF1MR12KM1HPHPSA1

    FF1MR12KM1HPHPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    1,179
    FF1MR12KM1HPHPSA1

    Техническая документация

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MSCSM170HRM11NG

    MSCSM170HRM11NG

    MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 226A

    Microchip Technology

    3,656
    MSCSM170HRM11NG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 226A (Tc), 163A (Tc) 11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V 3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA 712nC @ 20V, 464nC @ 20V 13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V 1.012kW (Tc), 662W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM042T6AG

    MSCSM120AM042T6AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 495A

    Microchip Technology

    3,344
    MSCSM120AM042T6AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 495A (Tc) 5.2mOhm @ 240A, 20V 2.8V @ 18mA 1392nC @ 20V 18100pF @ 1000V 2.031kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120HRM08NG

    MSCSM120HRM08NG

    MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A

    Microchip Technology

    2,680
    MSCSM120HRM08NG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV), 700V 317A (Tc), 227A (Tc) 7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA 928nC @ 20V, 430nC @ 20V 12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V 1.253kW (Tc), 613W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NVVR26A120M1WST

    NVVR26A120M1WST

    MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDA

    onsemi

    3,703
    NVVR26A120M1WST

    Техническая документация

    - 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 400A (Tj) 2.6mOhm @ 400A, 20V 3.2V @ 150mA 1.75µC @ 20V 31700pF @ 800V 1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole AHPM15-CDA
    ADP46075W3

    ADP46075W3

    MOSFET 6N-CH 750V 485A ACEPACK

    STMicroelectronics

    2,339
    ADP46075W3

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 750V 485A (Tj) 2.05mOhm @ 460A, 18V 4.4V @ 40mA 984nC @ 18V 27050pF @ 400V 704W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    MSCSM170HRM075NG

    MSCSM170HRM075NG

    MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 337A

    Microchip Technology

    3,393
    MSCSM170HRM075NG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 337A (Tc), 317A (Tc) 7.5mOhm @ 180A, 20V, 7.8mOhm @ 160A, 20V 3.2V @ 15mA, 2.8V @ 12mA 1068nC @ 20V, 928nC @ 20V 19800pF @ 1000V, 12100pF @ 1000V 1.492kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    Total 5737 Record«Prev1... 137138139140141142143144...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.