БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FQI17N08TU

    FQI17N08TU

    MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    1,354
    FQI17N08TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16.5A (Tc) 10V 115mOhm @ 8.25A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 450 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    SPD30N08S2-22

    SPD30N08S2-22

    MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,859
    SPD30N08S2-22

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 30A (Tc) 10V 21.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 80µA 57 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    NTB75N03RT4

    NTB75N03RT4

    MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK

    onsemi

    7,359
    NTB75N03RT4

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 9.7A (Ta), 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 13.2 nC @ 10 V ±20V 1333 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    SFR9110TF

    SFR9110TF

    MOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    122,386
    SFR9110TF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.8A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 335 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FDD8874

    FDD8874

    MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

    onsemi

    2,216
    FDD8874

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2990 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    RFD4N06LSM9A

    RFD4N06LSM9A

    MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    67,132
    RFD4N06LSM9A

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4A (Tc) 5V 600mOhm @ 1A, 5V 2.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±10V - - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CPH3456-TL-W

    CPH3456-TL-W

    MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

    onsemi

    3,005
    CPH3456-TL-W

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 71mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 2.8 nC @ 4.5 V ±12V 260 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
    HUF76129D3ST

    HUF76129D3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    42,200
    HUF76129D3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 25 V - 105W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    HUF76437S3ST

    HUF76437S3ST

    MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    17,682
    HUF76437S3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 71A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 71A, 10V 3V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±16V 2230 pF @ 25 V - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STD4815NT4G

    STD4815NT4G

    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

    onsemi

    12,500
    STD4815NT4G

    Техническая документация

    * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLJS4D7N03HTAG

    NTLJS4D7N03HTAG

    MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN

    onsemi

    6,379
    NTLJS4D7N03HTAG

    Техническая документация

    - 6-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 11.6A (Ta) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 851 pF @ 15 V - 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-PQFN (2x2)
    FQB11N40TM

    FQB11N40TM

    MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    8,000
    FQB11N40TM

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 11.4A (Tc) 10V 480mOhm @ 5.7A, 10V 5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRLR210ATM

    IRLR210ATM

    MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    7,500
    IRLR210ATM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.7A (Tc) 5V 1.5Ohm @ 1.35A, 5V 2V @ 250µA 9 nC @ 5 V ±20V 240 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 21W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    HUF75637P3

    HUF75637P3

    MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    5,595
    HUF75637P3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 44A (Tc) 10V 30mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 108 nC @ 20 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPL65R1K5C6SATMA1

    IPL65R1K5C6SATMA1

    MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    4,878
    IPL65R1K5C6SATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 100µA 11 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 26.6W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-2
    ISL9N327AD3ST

    ISL9N327AD3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    5,000
    ISL9N327AD3ST

    Техническая документация

    UltraFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 27mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 15 V - 50W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NDS9400

    NDS9400

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    5,000
    NDS9400

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 2.5A - - - - - - - 2W - - - Surface Mount 8-SOIC
    NTB8N50

    NTB8N50

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    4,250
    NTB8N50

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTDV20N06LT4G-VF01

    NTDV20N06LT4G-VF01

    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

    onsemi

    3,254
    NTDV20N06LT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 10V 46mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 25 V - 1.88W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    BUK7509-55A,127

    BUK7509-55A,127

    NEXPERIA BUK7509-55A - 75A, 55V,

    NXP Semiconductors

    3,370
    BUK7509-55A,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 9mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 0 V ±20V 3271 pF @ 25 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
    Total 36322 Record«Prev1... 438439440441442443444445...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.