БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDMC7664

    FDMC7664

    MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

    onsemi

    7,635
    FDMC7664

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18.8A (Ta), 24A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 18.8A, 10V 3V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V 4865 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
    IPB50CN10NGATMA1

    IPB50CN10NGATMA1

    MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

    Infineon Technologies

    2,414
    IPB50CN10NGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 10V 50mOhm @ 20A, 10V 4V @ 20µA 16 nC @ 10 V ±20V 1090 pF @ 50 V - 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    AUIRFC8407TR

    AUIRFC8407TR

    AUTOMOTIVE POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    2,064
    AUIRFC8407TR

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF7421D1TRPBF

    IRF7421D1TRPBF

    MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO

    Infineon Technologies

    1,389
    IRF7421D1TRPBF

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 4.1A, 10V 1V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 510 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    NVD5484NLT4G

    NVD5484NLT4G

    MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3

    onsemi

    3,165
    NVD5484NLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.7A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1410 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    G2002A

    G2002A

    N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.

    Goford Semiconductor

    1,225
    G2002A

    Техническая документация

    TrenchFET® SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2A (Tc) 4.5V, 10V 540mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 733 pF @ 100 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    NVMFS5832NLWFT3G

    NVMFS5832NLWFT3G

    MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN

    onsemi

    20,000
    NVMFS5832NLWFT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 21A (Ta) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 127W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    RJK03M8DNS-00#J5

    RJK03M8DNS-00#J5

    MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON

    Renesas Electronics Corporation

    305,000
    RJK03M8DNS-00#J5

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 5.2mOhm @ 15A, 10V - 14.5 nC @ 4.5 V - 2590 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
    FQD1N50TM

    FQD1N50TM

    MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    241,289
    FQD1N50TM

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.1A (Tc) 10V 9Ohm @ 550mA, 10V 5V @ 250µA 5.5 nC @ 10 V ±30V 150 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    RJK0352DSP-00#J0

    RJK0352DSP-00#J0

    MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    182,500
    RJK0352DSP-00#J0

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta) - 5.6mOhm @ 9A, 10V - 16 nC @ 4.5 V - 2440 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FDW262P

    FDW262P

    MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    168,330
    FDW262P

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 47mOhm @ 4.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±8V 1193 pF @ 10 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRLML6302TRPBF

    IRLML6302TRPBF

    MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

    Infineon Technologies

    151,535
    IRLML6302TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 780mA (Ta) 2.7V, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.6 nC @ 4.45 V ±12V 97 pF @ 15 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro3™/SOT-23
    FDMS8674

    FDMS8674

    MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    147,879
    FDMS8674

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 17A, 10V 3V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 2320 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    NTD4809NHT4G

    NTD4809NHT4G

    MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK

    onsemi

    6,584
    NTD4809NHT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 2155 pF @ 12 V - 1.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FQPF12P10

    FQPF12P10

    MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    96,000
    FQPF12P10

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.2A (Tc) 10V 290mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±30V 800 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQPF30N06

    FQPF30N06

    MOSFET N-CH 60V 21A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    80,000
    FQPF30N06

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 21A (Tc) 10V 40mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±25V 945 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDP6030L

    FDP6030L

    MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    60,736
    FDP6030L

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 48A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V 1250 pF @ 15 V - 52W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTTFS4C55NTAG

    NTTFS4C55NTAG

    MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN

    onsemi

    5,427
    NTTFS4C55NTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IRFD110

    IRFD110

    1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL

    Harris Corporation

    43,868
    IRFD110

    Техническая документация

    - 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 10V 540mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    RJK0212DPA-00#J5A

    RJK0212DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    27,000
    RJK0212DPA-00#J5A

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount WPAK(3)
    Total 36322 Record«Prev1... 439440441442443444445446...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.