БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    2SK3617-E

    2SK3617-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    4,500
    2SK3617-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03E3DNS-WS#J5

    RJK03E3DNS-WS#J5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    4,450
    RJK03E3DNS-WS#J5

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF9512

    IRF9512

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    4,210
    IRF9512

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    BUK6E3R4-40C,127

    BUK6E3R4-40C,127

    MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

    NXP USA Inc.

    3,248
    BUK6E3R4-40C,127

    Техническая документация

    * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03B9DPA-00#J5A

    RJK03B9DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    3,000
    RJK03B9DPA-00#J5A

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 10.6mOhm @ 15A, 10V - 7.4 nC @ 4.5 V - 1110 pF @ 10 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
    RJK0395DPA-00#J5A

    RJK0395DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    3,000
    RJK0395DPA-00#J5A

    Техническая документация

    - 8-WFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 7.7mOhm @ 15A, 10V - 11 nC @ 4.5 V - 1670 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
    RJK0395DPA-00#J53

    RJK0395DPA-00#J53

    MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    3,000
    RJK0395DPA-00#J53

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 7.7mOhm @ 15A, 10V - 11 nC @ 4.5 V - 1670 pF @ 10 V - 30W (Tc) - - - Surface Mount 8-WPAK
    FDS9435A

    FDS9435A

    MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

    UMW

    2,990
    FDS9435A

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G170P02D2

    G170P02D2

    P-20V,-16A,RD(MAX)<[email protected],VTH

    Goford Semiconductor

    2,970
    G170P02D2

    Техническая документация

    TrenchFET® 6-UDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 16A (Tc) 2.5V, 4.5V 17mOhm @ 6A, 4.5V 1V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±8V 2179 pF @ 10 V - 18W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
    FQI2N90TU

    FQI2N90TU

    MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    2,930
    FQI2N90TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 2.2A (Tc) 10V 7.2Ohm @ 1.1A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 500 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    RJK03B7DPA-WS#J53

    RJK03B7DPA-WS#J53

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    2,890
    RJK03B7DPA-WS#J53

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NDB4060

    NDB4060

    MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    2,827
    NDB4060

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Tc) 10V 100mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 450 pF @ 25 V - 50W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    ND2012L-TR1

    ND2012L-TR1

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Siliconix

    2,765
    ND2012L-TR1

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK0395DPA-WS#J53

    RJK0395DPA-WS#J53

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    2,690
    RJK0395DPA-WS#J53

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK4070-ZK-E2-AY

    2SK4070-ZK-E2-AY

    N-CHANNEL MOSFET

    NEC Corporation

    2,500
    2SK4070-ZK-E2-AY

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA 5 nC @ 10 V ±30V 110 pF @ 10 V - 1W (Ta), 22W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
    BUZ100S

    BUZ100S

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    2,483
    BUZ100S

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 77A (Tc) 10V 15mOhm @ 55A, 10V 4V @ 130µA 100 nC @ 10 V ±20V 2375 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    RJK03B8DPA-WS#J53

    RJK03B8DPA-WS#J53

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    2,475
    RJK03B8DPA-WS#J53

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03B9DPA-WS#J53

    RJK03B9DPA-WS#J53

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    2,465
    RJK03B9DPA-WS#J53

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUF76419D3STR4921

    HUF76419D3STR4921

    20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,

    Fairchild Semiconductor

    2,175
    HUF76419D3STR4921

    Техническая документация

    UltraFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 37mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 27.5 nC @ 10 V ±16V 900 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FQPF14N15

    FQPF14N15

    MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    1,856
    FQPF14N15

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 9.8A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±25V 715 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    Total 36322 Record«Prev1... 437438439440441442443444...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.