БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PJS6413_S1_00001

    PJS6413_S1_00001

    20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    10,565
    PJS6413_S1_00001

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 82mOhm @ 4.4A, 4.5V 1.2V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±12V 522 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
    NTLUS4C16NTBG

    NTLUS4C16NTBG

    MOSFET N-CH 30V 6.1A 6UDFN

    onsemi

    2,317
    NTLUS4C16NTBG

    Техническая документация

    µCool™ 6-PowerUFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.1A (Ta) 1.8V, 10V 11.4mOhm @ 8A, 10V 1.1V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V ±12V 690 pF @ 15 V - 650mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
    SSFL6912

    SSFL6912

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S

    Good-Ark Semiconductor

    10,050
    SSFL6912

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 30 V - 1.79W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    RJK1028DSP-00#J5

    RJK1028DSP-00#J5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    7,350
    RJK1028DSP-00#J5

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK663R2-40C,118

    BUK663R2-40C,118

    NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40

    Nexperia USA Inc.

    6,748
    BUK663R2-40C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±16V 8020 pF @ 25 V - 204W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    ZXMN2069FTA

    ZXMN2069FTA

    MOSFET N-CH SOT23-3

    Diodes Incorporated

    3,000
    ZXMN2069FTA

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 1.4A (Ta) - - - - - - - - - - - Surface Mount SOT-23-3
    STN4438

    STN4438

    MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23

    UMW

    3,000
    STN4438

    Техническая документация

    * 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.2A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 3.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI4425DY

    SI4425DY

    MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC

    UMW

    3,000
    SI4425DY

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI4435DY

    SI4435DY

    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

    UMW

    3,000
    SI4435DY

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF7204TR

    IRF7204TR

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC

    UMW

    3,000
    IRF7204TR

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.1A (Ta) 4.5V, 10V 55mOhm @ 5.1A, 10V 2V @ 50µA 11 nC @ 10 V ±20V 520 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    G05P06L

    G05P06L

    P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1

    Goford Semiconductor

    2,957
    G05P06L

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 80mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1376 pF @ 50 V - 2.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    PJS6415_S1_00001

    PJS6415_S1_00001

    20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,946
    PJS6415_S1_00001

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 56mOhm @ 5.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±12V 765 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
    G1003A

    G1003A

    N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2

    Goford Semiconductor

    2,615
    G1003A

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 120mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 532 pF @ 25 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDD6685

    FDD6685

    MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK

    UMW

    2,500
    FDD6685

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G20N03D2

    G20N03D2

    N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M

    Goford Semiconductor

    2,413
    G20N03D2

    Техническая документация

    TrenchFET® 6-WDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 30 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
    G1K1P06HH

    G1K1P06HH

    P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT

    Goford Semiconductor

    2,135
    G1K1P06HH

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.5A (Tc) 10V 110mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 981 pF @ 30 V - 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AM50N06-15D-CT

    AM50N06-15D-CT

    MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa

    Analog Power Inc.

    2,000
    AM50N06-15D-CT

    Техническая документация

    - TO-252 (D-Pak) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 16A, 4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±20V 2022 pF @ 15 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (D-Pak)
    RJK0353DSP-WS#J0

    RJK0353DSP-WS#J0

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    1,685
    RJK0353DSP-WS#J0

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PH7630DLX

    PH7630DLX

    MOSFET N-CH 30V LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    8,042
    PH7630DLX

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount -
    RJK0397DPA-0G#J7A

    RJK0397DPA-0G#J7A

    POWER TRANSISTOR, MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    4,993,700
    RJK0397DPA-0G#J7A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 434435436437438439440441...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.