БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SPP02N60S5

    SPP02N60S5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    4,500
    SPP02N60S5

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 5.5V @ 80µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    HUF75623P3

    HUF75623P3

    MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    4,436
    HUF75623P3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 10V 64mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 20 V ±20V 790 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    BUK9523-75A,127

    BUK9523-75A,127

    MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB

    NXP USA Inc.

    8,867
    BUK9523-75A,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 53A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3120 pF @ 25 V - 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK1274-AZ

    2SK1274-AZ

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    3,710
    2SK1274-AZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    06N06L

    06N06L

    N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M

    Goford Semiconductor

    3,550
    06N06L

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.5A 4.5V, 10V 45mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 765 pF @ 30 V - 960mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    BUK9516-55A,127

    BUK9516-55A,127

    MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB

    NXP USA Inc.

    3,743
    BUK9516-55A,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 66A (Tc) 5V, 10V 15mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3085 pF @ 25 V - 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRFR120Z

    AUIRFR120Z

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

    Infineon Technologies

    6,112
    AUIRFR120Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 25µA 10 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    ATP207-TL-H

    ATP207-TL-H

    MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK

    onsemi

    9,335
    ATP207-TL-H

    Техническая документация

    - ATPAK (2 Leads+Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 33A, 10V - 54 nC @ 10 V ±20V 2710 pF @ 20 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount ATPAK
    RF1S45N02LSM9A

    RF1S45N02LSM9A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    2,400
    RF1S45N02LSM9A

    Техническая документация

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NP40N10VDF-E1-AY

    NP40N10VDF-E1-AY

    MOSFET N-CH 100V 40A TO252

    Renesas Electronics Corporation

    1,559
    NP40N10VDF-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) - 26mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 3150 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 120W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
    SFM9110TF

    SFM9110TF

    MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

    Fairchild Semiconductor

    1,220
    SFM9110TF

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 10V 1.2Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 335 pF @ 25 V - 2.52W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
    2SK4101FS

    2SK4101FS

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    474,038
    2SK4101FS

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFS5C673NLT3G

    NVMFS5C673NLT3G

    MOSFET N-CH 60V 5DFN

    onsemi

    2,338
    NVMFS5C673NLT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.2mOhm @ 25A, 10V 2V @ 35µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    RFP6P10

    RFP6P10

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    41,954
    RFP6P10

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 800 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    1HP04CH-TL-W

    1HP04CH-TL-W

    MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

    onsemi

    5,684
    1HP04CH-TL-W

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170mA (Ta) 4V, 10V 18Ohm @ 80mA, 10V 2.6V @ 100µA 0.9 nC @ 10 V ±20V 14 pF @ 20 V - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
    2SK2406-TL-E

    2SK2406-TL-E

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    23,800
    2SK2406-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDB6030L

    FDB6030L

    MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

    Fairchild Semiconductor

    22,487
    FDB6030L

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 48A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V 1250 pF @ 15 V - 52W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    MTB9N25ET4

    MTB9N25ET4

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    13,312
    MTB9N25ET4

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMFS4C50NT1G

    NTMFS4C50NT1G

    30 V, 46A, SINGLE N-CHANNEL,

    Sanyo

    10,500
    NTMFS4C50NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Bulk Active - - - 21.7A (Ta) - - - - - - - - - - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    BUK9520-100B,127

    BUK9520-100B,127

    MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB

    NXP USA Inc.

    7,949
    BUK9520-100B,127

    Техническая документация

    * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 432433434435436437438439...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.