БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDFMJ2P023Z

    FDFMJ2P023Z

    MOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF

    Fairchild Semiconductor

    29,990
    FDFMJ2P023Z

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-WFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.9A (Ta) 1.5V, 4.5V 112mOhm @ 2.9A, 4.5V 1V @ 250µA 6.5 nC @ 4.5 V ±8V 400 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-75, MicroFET
    NTD4855NT4H

    NTD4855NT4H

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    27,500
    NTD4855NT4H

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLJS4149PTAG

    NTLJS4149PTAG

    MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN

    onsemi

    2,581
    NTLJS4149PTAG

    Техническая документация

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.7A (Ta) 2.5V, 4.5V 62mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±12V 960 pF @ 15 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    FDMC8884

    FDMC8884

    MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP

    onsemi

    5,202
    FDMC8884

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 15A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 685 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 18W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
    2SJ206-T1-AZ

    2SJ206-T1-AZ

    P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    23,500
    2SJ206-T1-AZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SJ210(0)-T1B-AT

    2SJ210(0)-T1B-AT

    P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    21,000
    2SJ210(0)-T1B-AT

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SPD30N03S2L20GBTMA1

    SPD30N03S2L20GBTMA1

    MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,268
    SPD30N03S2L20GBTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 2V @ 23µA 19 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    2SJ210(0)-T1B-A

    2SJ210(0)-T1B-A

    P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    19,913
    2SJ210(0)-T1B-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SFT1446-TL-H

    SFT1446-TL-H

    MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA

    Sanyo

    16,800
    SFT1446-TL-H

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 4V, 10V 51mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 20 V - 1W (Ta), 23W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TP-FA
    IPS60R800CEAKMA1

    IPS60R800CEAKMA1

    CONSUMER

    Infineon Technologies

    7,734
    IPS60R800CEAKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.4A (Tj) 10V 800mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 74W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    2SK1583-AZ

    2SK1583-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    14,168
    2SK1583-AZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4970N-1G

    NTD4970N-1G

    MOSFET N-CH 30V 38A IPAK

    onsemi

    11,100
    NTD4970N-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) - 11mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V - 774 pF @ 15 V - - - - - Through Hole IPAK
    NTMFS4936NCT1G

    NTMFS4936NCT1G

    11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE

    Fairchild Semiconductor

    10,500
    NTMFS4936NCT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.6A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 3044 pF @ 15 V - 920mW (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    ECH8311-TL-H

    ECH8311-TL-H

    PCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    9,000
    ECH8311-TL-H

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH3408-TL-E

    CPH3408-TL-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    9,000
    CPH3408-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMFS4847NT1G

    NTMFS4847NT1G

    MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN

    onsemi

    3,866
    NTMFS4847NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.5A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 11.5V 4.1mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±16V 2614 pF @ 12 V - 880mW (Ta), 48.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    RFD8P06LE

    RFD8P06LE

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    7,200
    RFD8P06LE

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8A (Tc) 4.5V, 5V 300mOhm @ 8A, 5V 2V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±10V 675 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    ECH8410-TL-H

    ECH8410-TL-H

    MOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8

    Sanyo

    6,975
    ECH8410-TL-H

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) - 10mOhm @ 6A, 10V 2.6V @ 1mA 31 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) 150°C - - Surface Mount SOT-28FL/ECH8
    HUFA75321D3

    HUFA75321D3

    MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    6,970
    HUFA75321D3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 36mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 20 V ±20V 680 pF @ 25 V - 93W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    BSC0908NS

    BSC0908NS

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    6,400
    BSC0908NS

    Техническая документация

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 391392393394395396397398...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.