БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NTMFS4839NHT3G

    NTMFS4839NHT3G

    MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN

    onsemi

    3,025
    NTMFS4839NHT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 11.5V 5.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 43.5 nC @ 11.5 V ±20V 2354 pF @ 12 V - 870mW (Ta), 42.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    FQI4N20TU

    FQI4N20TU

    MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    5,000
    FQI4N20TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.6A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±30V 220 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    NTD5N50T4

    NTD5N50T4

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    5,000
    NTD5N50T4

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQD1N60TM

    FQD1N60TM

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    4,980
    FQD1N60TM

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 6 nC @ 10 V ±30V 150 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTD6N40T4

    NTD6N40T4

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    4,960
    NTD6N40T4

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQI5N20TU

    FQI5N20TU

    MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    4,195
    FQI5N20TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 5V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 270 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    FQI3N25TU

    FQI3N25TU

    MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    3,648
    FQI3N25TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.8A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.4A, 10V 5V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    IRF610B

    IRF610B

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    3,625
    IRF610B

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.65A, 10V 4V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V ±30V 225 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FQPF7N20

    FQPF7N20

    MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    3,159
    FQPF7N20

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.8A (Tc) 10V 690mOhm @ 2.4A, 10V 5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 400 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IRFR3910

    IRFR3910

    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

    Infineon Technologies

    3,070
    IRFR3910

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) - 115mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V - 640 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    G5N02L

    G5N02L

    N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0

    Goford Semiconductor

    3,000
    G5N02L

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Tc) 2.5V, 10V 18mOhm @ 4.2A, 10V 1V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 10 V - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FQI13N06TU

    FQI13N06TU

    MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    2,534
    FQI13N06TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13A (Tc) 10V 135mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±25V 310 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    FQPF13N06

    FQPF13N06

    MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    2,334
    FQPF13N06

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.4A (Tc) 10V 135mOhm @ 4.7A, 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±25V 310 pF @ 25 V - 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQP17N08

    FQP17N08

    MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    2,331
    FQP17N08

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16.5A (Tc) 10V 115mOhm @ 8.25A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 450 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FQPF7N20L

    FQPF7N20L

    MOSFET N-CH 200V 5A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    1,711
    FQPF7N20L

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 5V, 10V 750mOhm @ 2.5A, 10V 2V @ 250µA 9 nC @ 5 V ±20V 500 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    SSS4N60BT

    SSS4N60BT

    TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3PIN(3

    Fairchild Semiconductor

    1,534
    SSS4N60BT

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tj) 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    2SK1828TE85LF

    2SK1828TE85LF

    MOSFET N-CH 20V 50MA SC59

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,367
    2SK1828TE85LF

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 50mA (Ta) 2.5V 40Ohm @ 10mA, 2.5V 1.5V @ 100µA - 10V 5.5 pF @ 3 V - 200mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-59
    HUF75321S3ST

    HUF75321S3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    1,303
    HUF75321S3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 35A (Tc) 10V 34mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 20 V ±20V 680 pF @ 25 V - 93W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FQD17N08LTF

    FQD17N08LTF

    MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252

    Fairchild Semiconductor

    1,207
    FQD17N08LTF

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12.9A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 6.45A, 10V 2V @ 250µA 11.5 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    PHD108NQ03LT,118

    PHD108NQ03LT,118

    MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

    NXP USA Inc.

    8,577
    PHD108NQ03LT,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 75A (Tc) 5V, 10V 6mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 16.3 nC @ 4.5 V ±20V 1375 pF @ 12 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    Total 36322 Record«Prev1... 394395396397398399400401...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.