БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NDS0610-G

    NDS0610-G

    FET -60V 10.0 MOHM SOT23

    onsemi

    4,660
    NDS0610-G

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120mA (Ta) 4.5V, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA 2.5 nC @ 10 V ±20V 79 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    HUF76619D3S

    HUF76619D3S

    MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    4,657
    HUF76619D3S

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Tc) 4.5V, 10V 85mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±16V 767 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NDF03N60ZG

    NDF03N60ZG

    MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP

    onsemi

    3,374
    NDF03N60ZG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.1A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 18 nC @ 10 V ±30V 372 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    FQPF2N30

    FQPF2N30

    MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    4,057
    FQPF2N30

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 1.34A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 670mA, 10V 5V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±30V 130 pF @ 25 V - 16W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQPF3P20

    FQPF3P20

    MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    4,000
    FQPF3P20

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.2A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.1A, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQI7N10LTU

    FQI7N10LTU

    MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    4,000
    FQI7N10LTU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.3A (Tc) 5V, 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V 2V @ 250µA 6 nC @ 5 V ±20V 290 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    BSS84PH6433XTMA1

    BSS84PH6433XTMA1

    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    3,994
    BSS84PH6433XTMA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm @ 170mA, 10V 2V @ 20µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 19 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
    FDMC8026S

    FDMC8026S

    MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP

    onsemi

    4,265
    FDMC8026S

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 19A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V 3V @ 1mA 52 nC @ 10 V ±20V 3165 pF @ 15 V - 2.4W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
    NTD4805N-35G

    NTD4805N-35G

    MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK

    onsemi

    9,203
    NTD4805N-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.7A (Ta), 95A (Tc) 4.5V, 11.5V 5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 11.5 V ±20V 2865 pF @ 12 V - 1.41W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRFR9110TF

    IRFR9110TF

    100V P-CHANNEL MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    3,500
    IRFR9110TF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLU8729-701PBF

    IRLU8729-701PBF

    MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21

    International Rectifier

    2,773
    IRLU8729-701PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 58A (Tc) - 8.9mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 4.5 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO-251-3-21
    G250N03IE

    G250N03IE

    N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V

    Goford Semiconductor

    2,573
    G250N03IE

    Техническая документация

    TrenchFET® SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.3A (Tc) 2.5V, 10V 25mOhm @ 4A, 10V 1.3V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±10V 573 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    NTD4856N-35G

    NTD4856N-35G

    MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK

    onsemi

    7,220
    NTD4856N-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2241 pF @ 12 V - 1.33W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQT4N20TF

    FQT4N20TF

    MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

    Fairchild Semiconductor

    2,363
    FQT4N20TF

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 850mA (Tc) 10V 1.4Ohm @ 425mA, 10V 5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±30V 220 pF @ 25 V - 2.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
    RFD8P06E

    RFD8P06E

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    2,278
    RFD8P06E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4856N-1G

    NTD4856N-1G

    MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK

    onsemi

    6,492
    NTD4856N-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2241 pF @ 12 V - 1.33W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTLUS4C16NTAG

    NTLUS4C16NTAG

    MOSFET N-CH 30V 9.4A 6UDFN

    onsemi

    8,802
    NTLUS4C16NTAG

    Техническая документация

    µCool™ 6-PowerUFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.4A (Ta) 1.8V, 10V 11.4mOhm @ 8A, 10V 1.1V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V ±12V 690 pF @ 15 V - 2.37W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
    FQD3N30TF

    FQD3N30TF

    MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    1,970
    FQD3N30TF

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 2.4A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.2A, 10V 5V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SSU2N60BTU

    SSU2N60BTU

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    1,869
    SSU2N60BTU

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.8A (Tc) 10V 5Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQB7N10TM

    FQB7N10TM

    MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    1,503
    FQB7N10TM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.3A (Tc) 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±25V 250 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 389390391392393394395396...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.