БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    ECH8419-TL-H

    ECH8419-TL-H

    MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH

    onsemi

    8,296
    ECH8419-TL-H

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35 V 9A (Ta) 4V, 10V 17mOhm @ 5A, 10V 2.6V @ 1mA 19 nC @ 10 V ±20V 960 pF @ 20 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    SFU9214TU

    SFU9214TU

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    56,998
    SFU9214TU

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.53A (Tc) 10V 4Ohm @ 770mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 295 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    SPS01N60C3

    SPS01N60C3

    MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

    Infineon Technologies

    2,763
    SPS01N60C3

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 800mA (Tc) 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 3.9V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 100 pF @ 25 V - 11W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPS60R1K0PFD7SAKMA1

    IPS60R1K0PFD7SAKMA1

    MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3

    Infineon Technologies

    2,926
    IPS60R1K0PFD7SAKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™PFD7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.7A (Tc) 10V 1Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 50µA 6 nC @ 10 V ±20V 230 pF @ 400 V - 26W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    FQD1N60TF

    FQD1N60TF

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    42,509
    FQD1N60TF

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 6 nC @ 10 V ±30V 150 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NDP603AL

    NDP603AL

    MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    34,234
    NDP603AL

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 15 V - 50W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPA50R650CEXKSA2

    IPA50R650CEXKSA2

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220

    Infineon Technologies

    4,344
    IPA50R650CEXKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.6A (Tc) 13V 650mOhm @ 1.8A, 13V 3.5V @ 150µA 15 nC @ 10 V ±20V 342 pF @ 100 V - 27.2W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-FP
    IRFM220BTF

    IRFM220BTF

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    24,000
    IRFM220BTF

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.13A (Tc) 10V 800mOhm @ 570mA, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±30V 390 pF @ 25 V - 2.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
    NTTS2P02R2G

    NTTS2P02R2G

    MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8

    onsemi

    2,939
    NTTS2P02R2G

    Техническая документация

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 1.4V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±8V 550 pF @ 16 V - 780mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MSOP
    IPB147N03LGATMA1

    IPB147N03LGATMA1

    MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,665
    IPB147N03LGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 14.7mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 15 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    NTD20N03L27-1G

    NTD20N03L27-1G

    MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

    onsemi

    3,508
    NTD20N03L27-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4V, 5V 27mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 18.9 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 25 V - 1.75W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    BSP129L6906

    BSP129L6906

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    16,000
    BSP129L6906

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Bulk Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 240 V 350mA (Ta) 0V, 10V 6Ohm @ 350mA, 10V 1V @ 108µA 5.7 nC @ 5 V ±20V 108 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4-21
    MMFT1N10ET1

    MMFT1N10ET1

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    12,845
    MMFT1N10ET1

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPP114N03LGHKSA1

    IPP114N03LGHKSA1

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    12,496
    IPP114N03LGHKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 11.4mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 15 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    BUK7237-55A,118

    BUK7237-55A,118

    MOSFET N-CH 55V 32.3A DPAK

    Nexperia USA Inc.

    8,545
    BUK7237-55A,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 32.3A (Tc) 10V 37mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 872 pF @ 25 V - 77W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    SSF2318E

    SSF2318E

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 20V,

    Good-Ark Semiconductor

    10,962
    SSF2318E

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.5A 1.8V, 4.5V 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 1.4W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23
    FDD050N03B

    FDD050N03B

    MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

    onsemi

    6,202
    FDD050N03B

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±16V 2875 pF @ 15 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    FDZ299P

    FDZ299P

    MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

    Fairchild Semiconductor

    9,000
    FDZ299P

    Техническая документация

    PowerTrench® 9-WFBGA Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 4.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±12V 742 pF @ 10 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-BGA (2x2.1)
    FSS262-TL-E

    FSS262-TL-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    6,000
    FSS262-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SFU9210TU

    SFU9210TU

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    4,740
    SFU9210TU

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.6A (Tc) 10V 3Ohm @ 800mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 285 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    Total 36322 Record«Prev1... 388389390391392393394395...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.