БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NTMFS4823NT1G

    NTMFS4823NT1G

    MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN

    onsemi

    4,367
    NTMFS4823NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.9A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 11.5V 10.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 13 nC @ 11.5 V ±20V 795 pF @ 15 V - 860mW (Ta), 32.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    FDS9412

    FDS9412

    MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    113,738
    FDS9412

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.9A (Ta) 4.5V, 10V 22mOhm @ 7.9A, 10V 2V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 830 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTP85N03

    NTP85N03

    MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB

    onsemi

    8,324
    NTP85N03

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 85A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 40A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V ±20V 2150 pF @ 24 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    2SK583-MTK-AA

    2SK583-MTK-AA

    MOSFET N-CH

    onsemi

    102,000
    2SK583-MTK-AA

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA1915TE(0)-T1-AT

    UPA1915TE(0)-T1-AT

    P-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    78,000
    UPA1915TE(0)-T1-AT

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8301-TL-E

    ECH8301-TL-E

    P CHANNEL SILICON MOS FET

    onsemi

    62,692
    ECH8301-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD80N02-1G

    NTD80N02-1G

    MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

    onsemi

    2,518
    NTD80N02-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 80A, 10V 3V @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±20V 2600 pF @ 20 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NDF03N60ZH

    NDF03N60ZH

    MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP

    onsemi

    9,620
    NDF03N60ZH

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.1A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 18 nC @ 10 V ±30V 372 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2 Full Pack
    FQU1N60CTU

    FQU1N60CTU

    MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

    onsemi

    6,546
    FQU1N60CTU

    Техническая документация

    QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 6.2 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD4806N-35G

    NTD4806N-35G

    MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

    onsemi

    9,869
    NTD4806N-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 11.5V 6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2142 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTTFS4939NTAG

    NTTFS4939NTAG

    MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN

    onsemi

    3,709
    NTTFS4939NTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.9A (Ta), 52A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 1979 pF @ 15 V - 850mW (Ta), 29.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    MGSF3433VT1-ON

    MGSF3433VT1-ON

    PFET TSOP6S 20V 0.098R TR

    onsemi

    35,900
    MGSF3433VT1-ON

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    EC4307KF-TR

    EC4307KF-TR

    PCH 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    32,000
    EC4307KF-TR

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8301-TL-E-SY

    ECH8301-TL-E-SY

    P CHANNEL SILICON MOS FET

    Sanyo

    30,000
    ECH8301-TL-E-SY

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RFP8P10

    RFP8P10

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    29,973
    RFP8P10

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Tc) 10V 400mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 1500 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SFR9120TM

    SFR9120TM

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    27,709
    SFR9120TM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.9A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CPH6314-TL-E

    CPH6314-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    19,798
    CPH6314-TL-E

    Техническая документация

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSF7320

    SSF7320

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,

    Good-Ark Semiconductor

    15,838
    SSF7320

    Техническая документация

    - SOT-723 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 800mA (Ta) 1.5V, 4.5V 300mOhm @ 500mA, 4.5V 1.2V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±12V 75 pF @ 10 V - 450mW -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-723
    BSC091N03MSCGATMA1

    BSC091N03MSCGATMA1

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

    Infineon Technologies

    15,000
    BSC091N03MSCGATMA1

    Техническая документация

    SIPMOS® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
    AM2340NE

    AM2340NE

    MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23

    Analog Power Inc.

    15,000
    AM2340NE

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 5.2A (Ta) 4.5V, 10V 43mOhm @ 5.2A, 10V 1V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    Total 36322 Record«Prev1... 376377378379380381382383...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.