БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDFMA2P859T

    FDFMA2P859T

    MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

    Fairchild Semiconductor

    14,392
    FDFMA2P859T

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-UDFN Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 120mOhm @ 3A, 4.5V 1.3V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±8V 435 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
    BUK7225-55A,118

    BUK7225-55A,118

    N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV

    Nexperia USA Inc.

    14,196
    BUK7225-55A,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 43A (Tc) 10V 25mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1310 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    FDFMA2P853T

    FDFMA2P853T

    MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

    Fairchild Semiconductor

    13,740
    FDFMA2P853T

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 120mOhm @ 3A, 4.5V 1.3V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±8V 435 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDD6780

    FDD6780

    MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    12,410
    FDD6780

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 16.5A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 16.5A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1590 pF @ 13 V - 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    HUF76009D3ST

    HUF76009D3ST

    MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    11,609
    HUF76009D3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 5V, 10V 27mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 20 V - 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    IRFS830B

    IRFS830B

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    11,242
    IRFS830B

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tj) 10V 1.5Ohm @ 2.25A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 38W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDMB668P

    FDMB668P

    MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP

    Fairchild Semiconductor

    10,643
    FDMB668P

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.1A (Ta) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 6.1A, 4.5V 1V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±8V 2085 pF @ 10 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
    NDD03N40Z-1G

    NDD03N40Z-1G

    MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK

    onsemi

    2,939
    NDD03N40Z-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2.1A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 600mA, 10V 4.5V @ 50µA 6.6 nC @ 10 V ±30V 140 pF @ 50 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTTFS4929NTWG

    NTTFS4929NTWG

    MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN

    onsemi

    9,567
    NTTFS4929NTWG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.6A (Ta), 34A(Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 8.8 nC @ 4.5 V ±20V 920 pF @ 15 V - 810mW (Ta), 22.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    BUK7225-55A,118

    BUK7225-55A,118

    N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV

    NXP Semiconductors

    9,604
    BUK7225-55A,118

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 43A (Ta) 10V 25mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1310 pF @ 25 V - 94W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    GSFC3401

    GSFC3401

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3

    Good-Ark Semiconductor

    5,448
    GSFC3401

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.4A (Ta) 2.5V, 10V 55mOhm @ 4.4A, 10V 1.4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±12V 800 pF @ 15 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    SSF3365

    SSF3365

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -30V,

    Good-Ark Semiconductor

    5,278
    SSF3365

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 80mOhm @ 3A, 10V 1V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    HUF75617D3

    HUF75617D3

    MOSFET N-CH 100V 16A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    5,072
    HUF75617D3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) 10V 90mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 20 V ±20V 570 pF @ 25 V - 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRFU430BTU

    IRFU430BTU

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    5,040
    IRFU430BTU

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.75A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTMS4700NR2G

    NTMS4700NR2G

    MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

    onsemi

    5,017
    NTMS4700NR2G

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.6A (Ta) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±20V 1600 pF @ 24 V - 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDD03N40ZT4G

    NDD03N40ZT4G

    MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK

    onsemi

    2,388
    NDD03N40ZT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2.1A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 600mA, 10V 4.5V @ 50µA 6.6 nC @ 10 V ±30V 140 pF @ 50 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NTD32N06L-001

    NTD32N06L-001

    MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

    onsemi

    2,886
    NTD32N06L-001

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 32A (Ta) 5V 28mOhm @ 16A, 5V 2V @ 250µA 50 nC @ 5 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FDN338P

    FDN338P

    20V 1.6A 500MW [email protected],1.6A 1

    UMW

    4,750
    FDN338P

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 405 pF @ 10 V - 400mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    NTP90N02G

    NTP90N02G

    MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB

    onsemi

    5,270
    NTP90N02G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 90A (Ta) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V ±20V 2120 pF @ 20 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRFR110ATM

    IRFR110ATM

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    4,197
    IRFR110ATM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.7A (Ta) 10V 400mOhm @ 2.35A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    Total 36322 Record«Prev1... 377378379380381382383384...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.