БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    HUF75307T3ST136

    HUF75307T3ST136

    13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,

    Harris Corporation

    3,263
    HUF75307T3ST136

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMFS4C08NT1G-001

    NTMFS4C08NT1G-001

    MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN

    onsemi

    5,540
    NTMFS4C08NT1G-001

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 52A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 18A, 10V 2.1V @ 250µA 18.2 nC @ 10 V ±20V 1670 pF @ 15 V - 760mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SI2317A

    SI2317A

    MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

    UMW

    3,000
    SI2317A

    Техническая документация

    * TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 40mOhm @ 4.2A, 4.5V - - ±12V - - 1.38W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    SI2309A

    SI2309A

    MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23

    UMW

    3,000
    SI2309A

    Техническая документация

    * TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.25A (Ta) 4.5V, 10V 340mOhm @ 1.25A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FDN336P

    FDN336P

    MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23

    UMW

    3,000
    FDN336P

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN359AN

    FDN359AN

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

    UMW

    3,000
    FDN359AN

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN5630

    FDN5630

    MOSFET N-CH 60V 4A SOT23

    UMW

    3,000
    FDN5630

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN308P

    FDN308P

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23

    UMW

    3,000
    FDN308P

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN306P

    FDN306P

    MOSFET P-CH 12V 2.6A SOT23

    UMW

    3,000
    FDN306P

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN302P

    FDN302P

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23

    UMW

    3,000
    FDN302P

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN352AP

    FDN352AP

    MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23

    UMW

    2,940
    FDN352AP

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2301H

    2301H

    P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<

    Goford Semiconductor

    2,771
    2301H

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.8A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 3A, 10V 2.4V @ 250µA 4.5 nC @ 2.5 V ±20V 366 pF @ 15 V - 890mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    MMSF3350R2

    MMSF3350R2

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    2,372
    MMSF3350R2

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RQK0204TGDQAWS#H6

    RQK0204TGDQAWS#H6

    P CH MOS FET POWER SWITCHING

    Renesas Electronics Corporation

    1,995
    RQK0204TGDQAWS#H6

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPS65R1K0CEAKMA1

    IPS65R1K0CEAKMA1

    MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251

    Infineon Technologies

    7,426
    IPS65R1K0CEAKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.3A (Tc) 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 200µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 37W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251
    IRF512S2532

    IRF512S2532

    4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL

    Harris Corporation

    1,200
    IRF512S2532

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMA905P-SN00294

    FDMA905P-SN00294

    MOSFET P-CH 12V 10A

    onsemi

    2,510
    FDMA905P-SN00294

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMFS4839NT1G

    NTMFS4839NT1G

    MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN

    onsemi

    4,274
    NTMFS4839NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 11.5V 5.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V 1588 pF @ 12 V - 870mW (Ta), 41.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRFR430BTM

    IRFR430BTM

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    207,739
    IRFR430BTM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.75A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NDT01N60T1G

    NDT01N60T1G

    MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223

    onsemi

    3,837
    NDT01N60T1G

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 400mA (Tc) 10V 8.5Ohm @ 200mA, 10V 3.7V @ 50µA 7.2 nC @ 10 V ±30V 160 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223 (TO-261)
    Total 36322 Record«Prev1... 375376377378379380381382...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.