БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    CPH6434-TL-E

    CPH6434-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    Sanyo

    2,982
    CPH6434-TL-E

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6A (Ta) - 41mOhm @ 3A, 4V - 7 nC @ 4 V - 790 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-CPH
    NTD4856NT4G

    NTD4856NT4G

    MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK

    onsemi

    2,843
    NTD4856NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2241 pF @ 12 V - 1.33W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    HUF75337P3

    HUF75337P3

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

    Harris Corporation

    2,600
    HUF75337P3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) - 14mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 20 V ±20V 1775 pF @ 25 V - 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    RFP2NO8L

    RFP2NO8L

    2A, 80V, 1.05OHM, N CHANNEL MOSF

    Harris Corporation

    1,609
    RFP2NO8L

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPS050N03LG

    IPS050N03LG

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    1,500
    IPS050N03LG

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 15 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    HUF76013D3S

    HUF76013D3S

    MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    1,212
    HUF76013D3S

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 5V, 10V 22mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 624 pF @ 20 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    G12P10TE

    G12P10TE

    MOSFET P-CH ESD 100V 12A 44.6W T

    Goford Semiconductor

    3,000
    G12P10TE

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 12A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    630A

    630A

    MOSFET N-CH 200V 11A TO-252

    Goford Semiconductor

    60,000
    630A

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    2SJ670-TD-E

    2SJ670-TD-E

    P-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    974,000
    2SJ670-TD-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH3431-TL-E

    CPH3431-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    564,000
    CPH3431-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTNS3A91PZT5G

    NTNS3A91PZT5G

    MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA

    onsemi

    5,592
    NTNS3A91PZT5G

    Техническая документация

    - 3-XFLGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 223mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±8V 41 pF @ 15 V - 121mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62)
    SFR9214TM

    SFR9214TM

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    412,282
    SFR9214TM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.53A (Tc) 10V 4Ohm @ 770mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 295 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CPH3413-TL-E

    CPH3413-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    357,000
    CPH3413-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD78N03T4G

    NTD78N03T4G

    MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK

    onsemi

    9,429
    NTD78N03T4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 11.4A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 78A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V 2250 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR210BTF

    IRFR210BTF

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    218,000
    IRFR210BTF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.35A, 10V 4V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V ±30V 225 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTTFS4823NTAG

    NTTFS4823NTAG

    MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN

    onsemi

    4,372
    NTTFS4823NTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.1A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 11.5V 10.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±20V 1013 pF @ 12 V - 660mW (Ta), 32.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NTD78N03-35G

    NTD78N03-35G

    MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK

    onsemi

    7,573
    NTD78N03-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 11.4A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 78A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V 2250 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SK3230C-T1-A

    2SK3230C-T1-A

    N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    198,000
    2SK3230C-T1-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3230B-T1-A

    2SK3230B-T1-A

    N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    126,000
    2SK3230B-T1-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3230-T1-A

    2SK3230-T1-A

    SMALL SIGNAL FET

    Renesas Electronics Corporation

    120,000
    2SK3230-T1-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 372373374375376377378379...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.