БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      MCU15N10-TP

      MCU15N10-TP

      MOSFET N-CH

      Micro Commercial Co

      		 7,853
      Запрос на предложение
      		MCU15N10-TP

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 10V 100mOhm @ 5A, 10V 2.9V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 612 pF @ 50 V - 28W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      MCU02N80-TP

      MCU02N80-TP

      MOSFET N-CH

      Micro Commercial Co

      		 3,890
      Запрос на предложение
      		MCU02N80-TP

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.4A 10V 6.3Ohm @ 1.2A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      MCQ4407A-TP

      MCQ4407A-TP

      MOSFET P-CH

      Micro Commercial Co

      		 9,889
      Запрос на предложение
      		MCQ4407A-TP

      Техническая документация

             		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 15 V - 3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
      MCP20N70-BP

      MCP20N70-BP

      MOSFET N-CH

      Micro Commercial Co

      		 3,775
      Запрос на предложение
      		MCP20N70-BP

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 20A 10V 210mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±30V 2328 pF @ 50 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      MCP04N80-BP

      MCP04N80-BP

      MOSFET N-CH

      Micro Commercial Co

      		 3,209
      Запрос на предложение
      		MCP04N80-BP

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 598 pF @ 50 V - 63W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      MCU40P04-TP

      MCU40P04-TP

      MOSFET P-CH

      Micro Commercial Co

      		 2,723
      Запрос на предложение
      		MCU40P04-TP

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A 10V 14mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2960 pF @ 20 V - 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      LSIC1MO120G0120

      LSIC1MO120G0120

      MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L

      Littelfuse Inc.

      		 9,987
      Запрос на предложение
      		LSIC1MO120G0120

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 27A (Tc) 20V 150mOhm @ 14A, 20V 4V @ 7mA 63 nC @ 20 V +22V, -6V 1130 pF @ 800 V - 156W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      LSIC1MO120G0080

      LSIC1MO120G0080

      MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L

      Littelfuse Inc.

      		 7,766
      Запрос на предложение
      		LSIC1MO120G0080

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 39A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 92 nC @ 20 V +22V, -6V 170 pF @ 800 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      LSIC1MO120G0160

      LSIC1MO120G0160

      MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L

      Littelfuse Inc.

      		 6,871
      Запрос на предложение
      		LSIC1MO120G0160

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 20V 200mOhm @ 10A, 20V 4V @ 5mA 50 nC @ 20 V +22V, -6V 890 pF @ 800 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      AUXNSF2804STRL7P

      AUXNSF2804STRL7P

      MOSFET N-CH

      Infineon Technologies

      		 9,055
      Запрос на предложение
      		AUXNSF2804STRL7P

      Техническая документация

             		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      TK430A60F,S4X(S

      TK430A60F,S4X(S

      MOSFET N-CH

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,663
      Запрос на предложение
      		TK430A60F,S4X(S

      Техническая документация

             		U-MOSIX TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Ta) 10V 430mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1.75mA 48 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
      TK370A60F,S4X(S

      TK370A60F,S4X(S

      MOSFET N-CH

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,152
      Запрос на предложение
      		TK370A60F,S4X(S

      Техническая документация

             		U-MOSIX TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 370mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 2.04mA 55 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
      FQD9N25TM-SBEK002

      FQD9N25TM-SBEK002

      MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA

      onsemi

      		 6,769
      Запрос на предложение
      		FQD9N25TM-SBEK002

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 7.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
      FDP13AN06A0-SW82126

      FDP13AN06A0-SW82126

      MOSFET N-CH 60V TO220-3

      onsemi

      		 3,392
      Запрос на предложение
      		FDP13AN06A0-SW82126

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 6V, 10V 13.5mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      IGT40R070D1ATMA1

      IGT40R070D1ATMA1

      GAN HV

      Infineon Technologies

      		 2,653
      Запрос на предложение
      		IGT40R070D1ATMA1

      Техническая документация

             		CoolGaN™ 8-PowerSFN Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 400 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 382 pF @ 320 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
      IGOT60R070D1E8220AUMA1

      IGOT60R070D1E8220AUMA1

      GAN HV

      Infineon Technologies

      		 9,087
      Запрос на предложение
      		IGOT60R070D1E8220AUMA1

      Техническая документация

             		CoolGaN™ 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-20-87
      IGT60R070D1E8220ATMA1

      IGT60R070D1E8220ATMA1

      GAN HV

      Infineon Technologies

      		 3,479
      Запрос на предложение
      		IGT60R070D1E8220ATMA1

      Техническая документация

             		CoolGaN™ 8-PowerSFN Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
      IGO60R070D1E8220AUMA1

      IGO60R070D1E8220AUMA1

      GAN HV

      Infineon Technologies

      		 4,134
      Запрос на предложение
      		IGO60R070D1E8220AUMA1

      Техническая документация

             		CoolGaN™ 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-20-85
      PHM2230DLS/1X

      PHM2230DLS/1X

      MOSFET

      Nexperia USA Inc.

      		 8,234
      Запрос на предложение
      		PHM2230DLS/1X

      Техническая документация

             		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      PSMN0R7-25YLD/1X

      PSMN0R7-25YLD/1X

      MOSFET

      Nexperia USA Inc.

      		 2,768
      Запрос на предложение
      		PSMN0R7-25YLD/1X

      Техническая документация

             		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      Total 36322 Record«Prev1... 17771778177917801781178217831784...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]