БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      TPCC8104,L1Q(CM

      TPCC8104,L1Q(CM

      MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 5,080
      Запрос на предложение
      		TPCC8104,L1Q(CM

      Техническая документация

             		U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 nC @ 10 V +20V, -25V 2260 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 27W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
      TPCC8105,L1Q(CM

      TPCC8105,L1Q(CM

      MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 2,514
      Запрос на предложение
      		TPCC8105,L1Q(CM

      Техническая документация

             		U-MOSVI 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Ta) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 11.5A, 10V 2V @ 500µA 76 nC @ 10 V +20V, -25V 3240 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 30W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
      TPCC8136.LQ

      TPCC8136.LQ

      MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 3,328
      Запрос на предложение
      		TPCC8136.LQ

      Техническая документация

             		U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 16mOhm @ 9.4A, 4.5V 1.2V @ 1mA 36 nC @ 5 V ±12V 2350 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 18W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
      TK40J20D,S1F(O

      TK40J20D,S1F(O

      MOSFET N-CH 200V 40A TO3P

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 7,100
      Запрос на предложение
      		TK40J20D,S1F(O

      Техническая документация

             		π-MOSVIII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 40A (Ta) 10V 44mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 100 V - 260W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-3P(N)
      TPCC8104,L1Q

      TPCC8104,L1Q

      MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 7,515
      Запрос на предложение
      		TPCC8104,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 nC @ 10 V +20V, -25V 2260 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 27W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
      TK12J60W,S1VE(S

      TK12J60W,S1VE(S

      MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,276
      Запрос на предложение
      		TK12J60W,S1VE(S

      Техническая документация

             		- TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11.5A (Ta) 10V 300mOhm @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA 25 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 300 V - 110W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-3P(N)
      TPCA8128,L1Q

      TPCA8128,L1Q

      MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,835
      Запрос на предложение
      		TPCA8128,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 34A (Ta) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 17A, 10V 2V @ 500µA 115 nC @ 10 V +20V, -25V 4800 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
      STP48N30M8

      STP48N30M8

      MOSFET N-CH 300V TO220

      STMicroelectronics

      		 5,350
      Запрос на предложение
      		STP48N30M8

      Техническая документация

             		- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      STD18N65M2-EP

      STD18N65M2-EP

      MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

      STMicroelectronics

      		 4,242
      Запрос на предложение
      		STD18N65M2-EP

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 375mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 14.4 nC @ 10 V ±25V 700 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      HAF1004-90STR-E

      HAF1004-90STR-E

      MOSFET P-CHANNEL 60V 5A DPAK

      Renesas Electronics Corporation

      		 3,162
      Запрос на предложение
      		HAF1004-90STR-E

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      FDS4141SN00136P

      FDS4141SN00136P

      MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC

      onsemi

      		 9,085
      Запрос на предложение
      		FDS4141SN00136P

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10.8A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10.5A, 10V 3V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V 2670 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      64-4095PBF

      64-4095PBF

      MOSFET N-CH SMD D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,941
      Запрос на предложение
      		64-4095PBF

      Техническая документация

             		- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      AUIRF2804L-313

      AUIRF2804L-313

      MOSFET N-CH 40V 195A TO262

      Infineon Technologies

      		 4,448
      Запрос на предложение
      		AUIRF2804L-313

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-262
      AUIRFSL4010-306

      AUIRFSL4010-306

      MOSFET N-CH 100V 180A TO262

      Infineon Technologies

      		 6,419
      Запрос на предложение
      		AUIRFSL4010-306

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V 9575 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-262
      AUIRFSL4010-313

      AUIRFSL4010-313

      MOSFET N-CH 100V 180A TO262

      Infineon Technologies

      		 8,751
      Запрос на предложение
      		AUIRFSL4010-313

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V 9575 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-262
      PCF6294W

      PCF6294W

      IC MOSFET N-CH 30V

      onsemi

      		 6,498
      Запрос на предложение
      		PCF6294W

      Техническая документация

             		- - Bulk Obsolete - - - 13A (Tj) - - - - - - - - - - - - -
      FDC658APG

      FDC658APG

      MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6

      onsemi

      		 4,239
      Запрос на предложение
      		FDC658APG

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      FDS9435ANBAD008

      FDS9435ANBAD008

      MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

      onsemi

      		 7,701
      Запрос на предложение
      		FDS9435ANBAD008

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - 5.3A (Tj) - - - - - - - - - - - - -
      FDC637ANNB5E023A

      FDC637ANNB5E023A

      MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6

      onsemi

      		 7,789
      Запрос на предложение
      		FDC637ANNB5E023A

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      MCAC35N10Y-TP

      MCAC35N10Y-TP

      MOSFET N-CH 100 35A DFN5060

      Micro Commercial Co

      		 5,841
      Запрос на предложение
      		MCAC35N10Y-TP

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tj) - 17.1mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 1223 pF @ 50 V - 35W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
      Total 36322 Record«Prev1... 17731774177517761777177817791780...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]