БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF7805ZTRPBF-1

    IRF7805ZTRPBF-1

    MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

    Infineon Technologies

    6,229
    IRF7805ZTRPBF-1

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 16A, 10V 2.25V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2080 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF8714TRPBF-1

    IRF8714TRPBF-1

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    5,243
    IRF8714TRPBF-1

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 2.35V @ 25µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1020 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    STD110N02RT4G-VF01

    STD110N02RT4G-VF01

    MOSFET N-CH 24V 32A/110A DPAK

    onsemi

    5,530
    STD110N02RT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 32A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±20V 3440 pF @ 20 V - 2.88W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    NVD4806NT4G-VF01

    NVD4806NT4G-VF01

    MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

    onsemi

    9,920
    NVD4806NT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 11.5V 6mOhm @ 30A, 11.5V 2.5V @ 250µA 37 nC @ 11.5 V ±20V 2142 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    SVD5803NT4G

    SVD5803NT4G

    MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

    onsemi

    7,009
    SVD5803NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 85A (Tc) 5V, 10V 5.7mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V 3220 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    NVD6415ANLT4G-VF01

    NVD6415ANLT4G-VF01

    MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

    onsemi

    3,286
    NVD6415ANLT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±20V 1024 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    NVD6414ANT4G-VF01

    NVD6414ANT4G-VF01

    MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

    onsemi

    9,406
    NVD6414ANT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Tc) 10V 37mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    SVD5865NLT4G

    SVD5865NLT4G

    MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK

    onsemi

    3,171
    SVD5865NLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Ta), 46A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 19A, 10V 2V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    SVD5806NT4G

    SVD5806NT4G

    MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

    onsemi

    9,638
    SVD5806NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 33A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NVD5863NLT4G-VF01

    NVD5863NLT4G-VF01

    MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK

    onsemi

    4,675
    NVD5863NLT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 4.5V, 10V 7.1mOhm @ 41A, 10V 3V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    NTMFS4C06NAT3G

    NTMFS4C06NAT3G

    MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN

    onsemi

    8,464
    NTMFS4C06NAT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta), 69A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1683 pF @ 15 V - 770mW (Ta), 30.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NVD6416ANT4G-VF01

    NVD6416ANT4G-VF01

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

    onsemi

    2,296
    NVD6416ANT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 81mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    AUIRLR3705Z

    AUIRLR3705Z

    AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL

    International Rectifier

    8,089
    AUIRLR3705Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 3V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±16V 2900 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FDP023N08B

    FDP023N08B

    75V N-CHANNEL MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    7,556
    FDP023N08B

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDG315N

    FDG315N

    2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    3,514
    FDG315N

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2A (Ta) 4.5V, 10V 120mOhm @ 2A, 10V 3V @ 250µA 4 nC @ 5 V ±20V 220 pF @ 15 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    PMN70XPEA115

    PMN70XPEA115

    MOSFET P-CH 20V 3.2A

    NXP USA Inc.

    8,902
    PMN70XPEA115

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFP048NPBF

    IRFP048NPBF

    HEXFET POWER MOSFET

    International Rectifier

    7,970
    IRFP048NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 16mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    FDB8880

    FDB8880

    11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,

    Fairchild Semiconductor

    3,142
    FDB8880

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 11.6mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1240 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    NX3008PBKMB,315

    NX3008PBKMB,315

    MOSFET P-CH 30V 300MA DFN1006B-3

    NXP USA Inc.

    5,803
    NX3008PBKMB,315

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-101, SOT-883 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 300mA (Ta) - 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V 1.1V @ 250µA 0.72 nC @ 4.5 V ±8V 46 pF @ 15 V - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
    IPP60R380P6

    IPP60R380P6

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

    Infineon Technologies

    9,589
    IPP60R380P6

    Техническая документация

    CoolMOS™ P6 TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 10.6A (Tc) - - - - - - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.