БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRF151

      IRF151

      N-CHANNEL POWER MOSFET

      Harris Corporation

      		 5,800
      Запрос на предложение
      		IRF151

      Техническая документация

             		- TO-204AE Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Tc) 10V 55mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-204AE
      IRF512

      IRF512

      N-CHANNEL POWER MOSFET

      Harris Corporation

      		 5,823
      Запрос на предложение
      		IRF512

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.9A (Tc) 10V 740mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±20V 135 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      BSP129L6327

      BSP129L6327

      N-CHANNEL POWER MOSFET

      Infineon Technologies

      		 9,716
      Запрос на предложение
      		BSP129L6327

      Техническая документация

             		SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Bulk Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 240 V 350mA (Ta) 0V, 10V 6Ohm @ 350mA, 10V 1V @ 108µA 5.7 nC @ 5 V ±20V 108 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4-21
      PMN27XPE115

      PMN27XPE115

      SMALL SIGNAL FET

      NXP USA Inc.

      		 5,111
      Запрос на предложение
      		PMN27XPE115

      Техническая документация

             		- SC-74, SOT-457 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 3A, 4.5V 1.25V @ 250µA 22.5 nC @ 4.5 V ±12V 1770 pF @ 10 V - 530mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
      PMN40UPEA115

      PMN40UPEA115

      P-CHANNEL MOSFET

      NXP USA Inc.

      		 2,407
      Запрос на предложение
      		PMN40UPEA115

      Техническая документация

             		- SC-74, SOT-457 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 43mOhm @ 3A, 4.5V 950mV @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±8V 1820 pF @ 10 V - 500mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
      PMV65XPEA215

      PMV65XPEA215

      P-CHANNEL MOSFET

      NXP USA Inc.

      		 2,701
      Запрос на предложение
      		PMV65XPEA215

      Техническая документация

             		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±12V 618 pF @ 10 V - 480mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-236AB
      PMV50XP215

      PMV50XP215

      P-CHANNEL MOSFET

      NXP USA Inc.

      		 4,287
      Запрос на предложение
      		PMV50XP215

      Техническая документация

             		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.6A (Ta) 1.5V, 4.5V 60mOhm @ 3.6A, 4.5V 900mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 744 pF @ 20 V - 490mW (Ta), 4.63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
      SSR4N60BTF

      SSR4N60BTF

      N-CHANNEL POWER MOSFET

      Fairchild Semiconductor

      		 3,332
      Запрос на предложение
      		SSR4N60BTF

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.8A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      BSS84AKW-B115

      BSS84AKW-B115

      MOSFET P-CH

      NXP USA Inc.

      		 9,798
      Запрос на предложение
      		BSS84AKW-B115

      Техническая документация

             		- SC-70, SOT-323 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 150mA (Ta) 5V, 10V 7.5Ohm @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nC @ 5 V ±20V 36 pF @ 25 V - 260mW (Ta), 830mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SC-70
      SFS9Z14

      SFS9Z14

      P-CHANNEL POWER MOSFET

      Fairchild Semiconductor

      		 4,997
      Запрос на предложение
      		SFS9Z14

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 350 pF @ 25 V - 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
      RFM12P08

      RFM12P08

      P-CHANNEL POWER MOSFET

      Harris Corporation

      		 9,592
      Запрос на предложение
      		RFM12P08

      Техническая документация

             		- TO-204AA, TO-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1500 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3
      PMZB600UNE315

      PMZB600UNE315

      SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

      NXP USA Inc.

      		 6,968
      Запрос на предложение
      		PMZB600UNE315

      Техническая документация

             		- SC-101, SOT-883 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 600mA (Ta) 1.2V, 4.5V 620mOhm @ 600mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±8V 21.3 pF @ 10 V - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
      PMZB200UNE315

      PMZB200UNE315

      SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

      NXP USA Inc.

      		 4,063
      Запрос на предложение
      		PMZB200UNE315

      Техническая документация

             		- SC-101, SOT-883 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 250mOhm @ 1.4A, 4.5V 950mV @ 250µA 2.7 nC @ 4.5 V ±8V 89 pF @ 15 V - 350mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
      2SJ199-T2-AZ

      2SJ199-T2-AZ

      P-CHANNEL POWER MOSFET

      Renesas Electronics Corporation

      		 5,412
      Запрос на предложение
      		2SJ199-T2-AZ

      Техническая документация

             		- TO-243AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 4V, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 3V @ 1mA - ±20V 220 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount SC-62
      AONS66400

      AONS66400

      MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 4,874
      Запрос на предложение
      		AONS66400

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      AONS66450

      AONS66450

      MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 6,132
      Запрос на предложение
      		AONS66450

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
      IRFC3205B

      IRFC3205B

      MOSFET 55V 110A DIE

      Infineon Technologies

      		 6,038
      Запрос на предложение
      		IRFC3205B

      Техническая документация

             		HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A - 8mOhm @ 110A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
      IRFC3415B

      IRFC3415B

      MOSFET 150V 43A DIE

      Infineon Technologies

      		 9,797
      Запрос на предложение
      		IRFC3415B

      Техническая документация

             		HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A 10V 42mOhm @ 43A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
      IRF6217TRPBF-1

      IRF6217TRPBF-1

      MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO

      Infineon Technologies

      		 4,871
      Запрос на предложение
      		IRF6217TRPBF-1

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 700mA (Ta) 10V 2.4Ohm @ 420mA, 10V 5V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 150 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRFC9130NB

      IRFC9130NB

      MOSFET 100V 14A DIE

      Infineon Technologies

      		 8,966
      Запрос на предложение
      		IRFC9130NB

      Техническая документация

             		HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A 10V 200mOhm @ 14A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
      Total 36322 Record«Prev1... 17671768176917701771177217731774...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]