БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STP318N4F6

    STP318N4F6

    MOSFET N-CH 40V 160A TO220

    STMicroelectronics

    4,176
    STP318N4F6

    Техническая документация

    STripFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 13800000 pF @ 25 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTLJS14D0P03P8ZTAG

    NTLJS14D0P03P8ZTAG

    MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET

    onsemi

    8,331
    NTLJS14D0P03P8ZTAG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQB7P20TM-F085P

    FQB7P20TM-F085P

    MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

    onsemi

    3,126
    FQB7P20TM-F085P

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7.3A (Tc) 10V 690mOhm @ 3.65A, 10V 5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±30V 770 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NTNS4CS69NTCG

    NTNS4CS69NTCG

    MOSFET N-CH 30V XDFN3

    onsemi

    4,639
    NTNS4CS69NTCG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ISK036N03LM5AULA1

    ISK036N03LM5AULA1

    TRENCH <= 40V PG-VSON-6

    Infineon Technologies

    3,818
    ISK036N03LM5AULA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±16V 1400 pF @ 15 V - 11W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
    IPT039N15N5XTMA1

    IPT039N15N5XTMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    3,173
    IPT039N15N5XTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 190A (Tc) 8V, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 257µA 98 nC @ 10 V ±20V 7700 pF @ 75 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8
    IAUS300N04S4N007ATMA1

    IAUS300N04S4N007ATMA1

    MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8

    Infineon Technologies

    2,411
    IAUS300N04S4N007ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 0.74mOhm @ 100A, 10V 4V @ 275µA 342 nC @ 10 V ±20V 27356 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
    IMT65R022M1HXTMA1

    IMT65R022M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    8,536
    IMT65R022M1HXTMA1

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IMT65R039M1HXTMA1

    IMT65R039M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    9,446
    IMT65R039M1HXTMA1

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPB80P03P405ATMA2

    IPB80P03P405ATMA2

    MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    3,626
    IPB80P03P405ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    GPI65060DFN

    GPI65060DFN

    GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8

    GaNPower

    3,790
    GPI65060DFN

    Техническая документация

    - Die Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 60A 6V - 1.2V @ 3.5mA 16 nC @ 6 V +7.5V, -12V 420 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    GPIHV30SB5L

    GPIHV30SB5L

    GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L

    GaNPower

    6,073
    GPIHV30SB5L

    Техническая документация

    - Die Tube Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 1200 V 30A 6V - 1.4V @ 3.5mA 8.25 nC @ 6 V +7.5V, -12V 236 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    PJP6NA90_T0_00001

    PJP6NA90_T0_00001

    900V N-CHANNEL MOSFET

    Panjit International Inc.

    8,995
    PJP6NA90_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Ta) 10V 2.3Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 23.6 nC @ 10 V ±30V 915 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PJP100P03_T0_00001

    PJP100P03_T0_00001

    30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    8,758
    PJP100P03_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15.8A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 6067 pF @ 25 V - 2W (Ta), 119W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PCFC041N60EW

    PCFC041N60EW

    MOSFET N-CH SMD

    onsemi

    6,805
    PCFC041N60EW

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSS84-F169

    BSS84-F169

    MOSFET

    onsemi

    5,750
    BSS84-F169

    Техническая документация

    * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SC9611MX

    SC9611MX

    MOSFET N-CH SMD

    onsemi

    6,334
    SC9611MX

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMJS0D9N03CGTWG

    NTMJS0D9N03CGTWG

    MOSFET N-CH 30V LFPAK8

    onsemi

    4,424
    NTMJS0D9N03CGTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta), 315A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 200µA 131.4 nC @ 10 V ±20V 9550 pF @ 15 V - 3.9W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    FDN5630-G

    FDN5630-G

    MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

    onsemi

    9,116
    FDN5630-G

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.7A (Ta) 6V, 10V 100mOhm @ 1.7A, 10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 560 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDP045N10A-F032

    FDP045N10A-F032

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

    onsemi

    6,307
    FDP045N10A-F032

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250mA 74 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.