БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PSMN7R0-100XS,127

    PSMN7R0-100XS,127

    MOSFET N-CH 100V 55A TO220F

    NXP USA Inc.

    3,012
    PSMN7R0-100XS,127

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 121 nC @ 10 V ±20V 6686 pF @ 50 V - 57.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    BSF030NE2LQXUMA1

    BSF030NE2LQXUMA1

    MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON

    Infineon Technologies

    2,372
    BSF030NE2LQXUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3-WDSON Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 24A (Ta), 75A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 12 V - 2.2W (Ta), 28W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
    IPB042N10N3GE8187ATMA1

    IPB042N10N3GE8187ATMA1

    MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,825
    IPB042N10N3GE8187ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB180N03S4LH0ATMA1

    IPB180N03S4LH0ATMA1

    MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    3,008
    IPB180N03S4LH0ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 200µA 300 nC @ 10 V ±16V 23000 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    IPB45N04S4L08ATMA1

    IPB45N04S4L08ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

    Infineon Technologies

    2,568
    IPB45N04S4L08ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Tc) 4.5V, 10V 7.6mOhm @ 45A, 10V 2.2V @ 17µA 30 nC @ 10 V +20V, -16V 2340 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB65R660CFDATMA1

    IPB65R660CFDATMA1

    MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,814
    IPB65R660CFDATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPD100N06S403ATMA1

    IPD100N06S403ATMA1

    MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

    Infineon Technologies

    7,368
    IPD100N06S403ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 90µA 128 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD50N06S4L12ATMA1

    IPD50N06S4L12ATMA1

    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

    Infineon Technologies

    5,397
    IPD50N06S4L12ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 20µA 40 nC @ 10 V ±16V 2890 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD65R660CFDBTMA1

    IPD65R660CFDBTMA1

    MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,884
    IPD65R660CFDBTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    BSB012NE2LX

    BSB012NE2LX

    MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON

    Infineon Technologies

    4,230
    BSB012NE2LX

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3-WDSON Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 37A (Ta), 170A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 4900 pF @ 12 V - 2.8W (Ta), 57W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
    BSS84PH6327XTSA1

    BSS84PH6327XTSA1

    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    2,496
    BSS84PH6327XTSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm @ 170mA, 10V 2V @ 20µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 19 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
    SN7002NH6327XTSA1

    SN7002NH6327XTSA1

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    5,790
    SN7002NH6327XTSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 45 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT23
    BUZ30AHXKSA1

    BUZ30AHXKSA1

    MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,465
    BUZ30AHXKSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 21A (Tc) 10V 130mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1900 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    BUZ31L H

    BUZ31L H

    MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,954
    BUZ31L H

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13.5A (Tc) 5V 200mOhm @ 7A, 5V 2V @ 1mA - ±20V 1600 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ32 H

    BUZ32 H

    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    9,378
    BUZ32 H

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.5A (Tc) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73H3046XKSA1

    BUZ73H3046XKSA1

    MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,025
    BUZ73H3046XKSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73A H

    BUZ73A H

    MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    8,993
    BUZ73A H

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73A H3046

    BUZ73A H3046

    MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    9,890
    BUZ73A H3046

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73LHXKSA1

    BUZ73LHXKSA1

    MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

    Infineon Technologies

    4,472
    BUZ73LHXKSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7A (Tc) 5V 400mOhm @ 3.5A, 5V 2V @ 1mA - ±20V 840 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPA65R110CFDXKSA1

    IPA65R110CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220

    Infineon Technologies

    6,689
    IPA65R110CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.