БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    TK4A60DB(STA4,Q,M)

    TK4A60DB(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,265
    TK4A60DB(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Ta) 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK4A65DA(STA4,Q,M)

    TK4A65DA(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,924
    TK4A65DA(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.5A (Ta) 10V 1.9Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK4P50D(T6RSS-Q)

    TK4P50D(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,825
    TK4P50D(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4A (Ta) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 9 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK4P55DA(T6RSS-Q)

    TK4P55DA(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,355
    TK4P55DA(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 3.5A (Ta) 10V 2.45Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 9 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK4P55D(T6RSS-Q)

    TK4P55D(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 550V 4A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,302
    TK4P55D(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 4A (Ta) 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK4P60DA(T6RSS-Q)

    TK4P60DA(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,443
    TK4P60DA(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.5A (Ta) 10V 2.2Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK4P60DB(T6RSS-Q)

    TK4P60DB(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,312
    TK4P60DB(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Ta) 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK50E06K3A,S1X(S

    TK50E06K3A,S1X(S

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,229
    TK50E06K3A,S1X(S

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 8.5mOhm @ 25A, 10V - 54 nC @ 10 V - - - - - - - Through Hole TO-220-3
    TK50E06K3(S1SS-Q)

    TK50E06K3(S1SS-Q)

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,209
    TK50E06K3(S1SS-Q)

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-220-3
    TK50E08K3,S1X(S

    TK50E08K3,S1X(S

    MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,361
    TK50E08K3,S1X(S

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 50A (Tc) - 12mOhm @ 25A, 10V - 55 nC @ 10 V - - - - - - - Through Hole TO-220-3
    TK50E10K3(S1SS-Q)

    TK50E10K3(S1SS-Q)

    MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,179
    TK50E10K3(S1SS-Q)

    Техническая документация

    - - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-220-3
    TK60E08K3,S1X(S

    TK60E08K3,S1X(S

    MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,814
    TK60E08K3,S1X(S

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 60A - 9mOhm @ 30A, 10V - 75 nC @ 10 V - - - 128W - - - Through Hole TO-220-3
    TK60P03M1,RQ(S

    TK60P03M1,RQ(S

    MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,530
    TK60P03M1,RQ(S

    Техническая документация

    U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 500µA 40 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 10 V - 63W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK65S04K3L(T6L1,NQ

    TK65S04K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,208
    TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 6V, 10V 4.5mOhm @ 32.5A, 10V 3V @ 1mA 63 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 10 V - 88W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    TK80S04K3L(T6L1,NQ

    TK80S04K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,452
    TK80S04K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Ta) 6V, 10V 3.1mOhm @ 40A, 10V 3V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 10 V - 100W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    TK80S06K3L(T6L1,NQ

    TK80S06K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,637
    TK80S06K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Ta) 6V, 10V 5.5mOhm @ 40A, 10V 3V @ 1mA 85 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 10 V - 100W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    TK8A60DA(STA4,Q,M)

    TK8A60DA(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,828
    TK8A60DA(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.5A (Ta) 10V 1Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TPC6008-H(TE85L,FM

    TPC6008-H(TE85L,FM

    MOSFET N-CH 30V 5.9A VS-6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,232
    TPC6008-H(TE85L,FM

    Техническая документация

    U-MOSVI-H SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.9A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 3A, 10V 2.3V @ 100µA 4.8 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
    TPC6009-H(TE85L,FM

    TPC6009-H(TE85L,FM

    MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,673
    TPC6009-H(TE85L,FM

    Техническая документация

    U-MOSVI-H SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 5.3A (Ta) 4.5V, 10V 81mOhm @ 2.7A, 10V 2.3V @ 100µA 4.7 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
    TPC6010-H(TE85L,FM

    TPC6010-H(TE85L,FM

    MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,673
    TPC6010-H(TE85L,FM

    Техническая документация

    U-MOSVI-H SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.1A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 3.1A, 10V 2.3V @ 100µA 12 nC @ 10 V ±20V 830 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.