БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SIHP30N60E-E3

    SIHP30N60E-E3

    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

    Vishay Siliconix

    2,193
    SIHP30N60E-E3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHG30N60E-E3

    SIHG30N60E-E3

    MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

    Vishay Siliconix

    8,540
    SIHG30N60E-E3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    TK10S04K3L(T6L1,NQ

    TK10S04K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 40V 10A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,123
    TK10S04K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 6V, 10V 28mOhm @ 5A, 10V 3V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 10 V - 25W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    TK11A60D(STA4,Q,M)

    TK11A60D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,995
    TK11A60D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Ta) 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±30V 1550 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK15A60D(STA4,Q,M)

    TK15A60D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,606
    TK15A60D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 370mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK16A45D(STA4,Q,M)

    TK16A45D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 450V 16A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,048
    TK16A45D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 16A - 270mOhm @ 8A, 10V - - - - - - - - - Through Hole TO-220SIS
    TK16A55D(STA4,Q,M)

    TK16A55D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,421
    TK16A55D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 16A (Ta) - 330mOhm @ 8A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V - 2600 pF @ 25 V - - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK18E10K3,S1X(S

    TK18E10K3,S1X(S

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,959
    TK18E10K3,S1X(S

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Ta) - 42mOhm @ 9A, 10V - 33 nC @ 10 V - - - - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    TK20P04M1,RQ(S

    TK20P04M1,RQ(S

    MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,536
    TK20P04M1,RQ(S

    Техническая документация

    U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 29mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±20V 985 pF @ 10 V - 27W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK20S04K3L(T6L1,NQ

    TK20S04K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,802
    TK20S04K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 6V, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 820 pF @ 10 V - 38W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    TK20S06K3L(T6L1,NQ

    TK20S06K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,402
    TK20S06K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 6V, 10V 29mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 780 pF @ 10 V - 38W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    TK25E06K3,S1X(S

    TK25E06K3,S1X(S

    MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,605
    TK25E06K3,S1X(S

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25A (Ta) - 18mOhm @ 12.5A, 10V - 29 nC @ 10 V - - - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    TK2P60D(TE16L1,NQ)

    TK2P60D(TE16L1,NQ)

    MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,820
    TK2P60D(TE16L1,NQ)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 4.4V @ 1mA 7 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
    TK30S06K3L(T6L1,NQ

    TK30S06K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,283
    TK30S06K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 6V, 10V 18Ohm @ 15A, 10V 3V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 10 V - 58W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK+
    TK40E10K3,S1X(S

    TK40E10K3,S1X(S

    MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,959
    TK40E10K3,S1X(S

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Ta) - 15mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 84 nC @ 10 V - 4000 pF @ 10 V - - - - - Through Hole TO-220-3
    TK40P03M1(T6RDS-Q)

    TK40P03M1(T6RDS-Q)

    MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,945
    TK40P03M1(T6RDS-Q)

    Техническая документация

    U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 10.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 100µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount DPAK
    TK40S10K3Z(T6L1,NQ

    TK40S10K3Z(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 100V 40A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,847
    TK40S10K3Z(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Ta) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 61 nC @ 10 V ±20V 3110 pF @ 10 V - 93W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    TK45P03M1,RQ(S

    TK45P03M1,RQ(S

    MOSFET N-CH 30V 45A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,402
    TK45P03M1,RQ(S

    Техническая документация

    U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Ta) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 22.5A, 10V 2.3V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount DPAK
    TK4A53D(STA4,Q,M)

    TK4A53D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,468
    TK4A53D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 4A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK4A55D(STA4,Q,M)

    TK4A55D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,133
    TK4A55D(STA4,Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 4A (Ta) 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.